Ingatan

IS42S86400B-7TLI-TR

IS42S86400B-7TLI-TR

bahagian bahagian: 5057

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS62WV5128DBLL-45TLI-TR

IS62WV5128DBLL-45TLI-TR

bahagian bahagian: 3480

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS49NLC93200-33BI

IS49NLC93200-33BI

bahagian bahagian: 715

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (32M x 9), Kekerapan Jam: 300MHz,

Senarai harapan
IS42VM16800G-6BLI

IS42VM16800G-6BLI

bahagian bahagian: 5806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61NVF51236-6.5TQL

IS61NVF51236-6.5TQL

bahagian bahagian: 2461

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS43TR16128AL-125KBLI

IS43TR16128AL-125KBLI

bahagian bahagian: 5627

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS64WV51216EDBLL-10CTLA3

IS64WV51216EDBLL-10CTLA3

bahagian bahagian: 5426

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS43LR32400F-6BL

IS43LR32400F-6BL

bahagian bahagian: 7026

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42VM16400K-6BLI

IS42VM16400K-6BLI

bahagian bahagian: 5736

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43DR16160A-25EBL

IS43DR16160A-25EBL

bahagian bahagian: 6170

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS42S32160F-6BL

IS42S32160F-6BL

bahagian bahagian: 4891

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS42S83200D-75ETLI

IS42S83200D-75ETLI

bahagian bahagian: 4958

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS25LQ010A-JNLE

IS25LQ010A-JNLE

bahagian bahagian: 2094

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 80MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 400µs,

Senarai harapan
IS42VM32400G-75BLI

IS42VM32400G-75BLI

bahagian bahagian: 6057

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS43LR16800F-6BL-TR

IS43LR16800F-6BL-TR

bahagian bahagian: 6927

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61WV5128BLS-25TLI-TR

IS61WV5128BLS-25TLI-TR

bahagian bahagian: 6389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
IS61WV51216EDBLL-10TLI

IS61WV51216EDBLL-10TLI

bahagian bahagian: 5526

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS45S32400E-7BLA1

IS45S32400E-7BLA1

bahagian bahagian: 8813

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS25LD020-JVLE-TR

IS25LD020-JVLE-TR

bahagian bahagian: 2021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS25LD040-JBLE-TR

IS25LD040-JBLE-TR

bahagian bahagian: 2040

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS43LR32100C-6BLI-TR

IS43LR32100C-6BLI-TR

bahagian bahagian: 6938

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 32Mb (1M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS42S16100F-6TLI-TR

IS42S16100F-6TLI-TR

bahagian bahagian: 3835

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS43TR16640A-125JBLI-TR

IS43TR16640A-125JBLI-TR

bahagian bahagian: 10584

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61DDB21M36-250M3L

IS61DDB21M36-250M3L

bahagian bahagian: 1919

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
IS25WD020-JVLE-TR

IS25WD020-JVLE-TR

bahagian bahagian: 2358

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 80MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
IS62WV5128DBLL-45HLI-TR

IS62WV5128DBLL-45HLI-TR

bahagian bahagian: 3419

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS42VM16400K-75BLI-TR

IS42VM16400K-75BLI-TR

bahagian bahagian: 5827

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
IS62WV6416DBLL-45BLI

IS62WV6416DBLL-45BLI

bahagian bahagian: 3659

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS41C16105C-50KLI

IS41C16105C-50KLI

bahagian bahagian: 2699

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM - FP, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16),

Senarai harapan
IS43LR16200C-6BL-TR

IS43LR16200C-6BL-TR

bahagian bahagian: 6693

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
IS42S16100F-6TLI

IS42S16100F-6TLI

bahagian bahagian: 3807

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61WV102416ALL-20MI

IS61WV102416ALL-20MI

bahagian bahagian: 2942

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
IS43TR16640AL-125JBLI

IS43TR16640AL-125JBLI

bahagian bahagian: 9602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25CD512-JULE-TR

IS25CD512-JULE-TR

bahagian bahagian: 1988

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
IS42S16100F-5TL

IS42S16100F-5TL

bahagian bahagian: 3649

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS61WV5128BLL-10BI

IS61WV5128BLL-10BI

bahagian bahagian: 2939

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan