Ingatan

IS25LQ080B-JBLE-TR

IS25LQ080B-JBLE-TR

bahagian bahagian: 2329

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS42S32160F-6TL-TR

IS42S32160F-6TL-TR

bahagian bahagian: 5639

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
IS64WV25616EDBLL-10BA3

IS64WV25616EDBLL-10BA3

bahagian bahagian: 2653

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS29LV032T-70TLI

IS29LV032T-70TLI

bahagian bahagian: 1438

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS64WV6416BLL-15BA3

IS64WV6416BLL-15BA3

bahagian bahagian: 3821

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS45S16320F-7BLA1

IS45S16320F-7BLA1

bahagian bahagian: 4421

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 143MHz,

Senarai harapan
IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

IS62WV6416DBLL-45TLI-TR

bahagian bahagian: 3717

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
IS43LD32320A-3BLI-TR

IS43LD32320A-3BLI-TR

bahagian bahagian: 2127

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS61NLP51218A-200TQLI

IS61NLP51218A-200TQLI

bahagian bahagian: 5157

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS43LD32320A-25BLI

IS43LD32320A-25BLI

bahagian bahagian: 5365

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (32M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE2M16EBLL-55BLI

IS66WVE2M16EBLL-55BLI

bahagian bahagian: 7470

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS64WV51216EDBLL-10BLA3

IS64WV51216EDBLL-10BLA3

bahagian bahagian: 5314

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
IS43TR85120AL-15HBLI

IS43TR85120AL-15HBLI

bahagian bahagian: 4572

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 667MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

IS66WV51216EBLL-55BLI-TR

bahagian bahagian: 2634

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
IS43TR85120A-125KBLI

IS43TR85120A-125KBLI

bahagian bahagian: 4180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 800MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25LQ080-JVLE

IS25LQ080-JVLE

bahagian bahagian: 4485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS25LQ016B-JKLE

IS25LQ016B-JKLE

bahagian bahagian: 46370

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS43DR16128B-25EBLI-TR

IS43DR16128B-25EBLI-TR

bahagian bahagian: 2463

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16128A-3DBLI

IS43DR16128A-3DBLI

bahagian bahagian: 3869

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS43DR16128B-3DBL

IS43DR16128B-3DBL

bahagian bahagian: 2534

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS66WVE4M16BLL-70BLI

IS66WVE4M16BLL-70BLI

bahagian bahagian: 4402

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS61LPS25636A-200TQ2LI

IS61LPS25636A-200TQ2LI

bahagian bahagian: 5120

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS61LF102418B-7.5TQ-TR

IS61LF102418B-7.5TQ-TR

bahagian bahagian: 2123

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 117MHz,

Senarai harapan
IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR

IS66WVE2M16BLL-70BLI-TR

bahagian bahagian: 4236

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS29LV032B-70TLI

IS29LV032B-70TLI

bahagian bahagian: 22709

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS42S86400F-6TLI

IS42S86400F-6TLI

bahagian bahagian: 4560

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61NLP204818A-166TQ

IS61NLP204818A-166TQ

bahagian bahagian: 2604

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS64WV6416BLL-15BA3-TR

IS64WV6416BLL-15BA3-TR

bahagian bahagian: 3837

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
IS25LQ080B-JNLE

IS25LQ080B-JNLE

bahagian bahagian: 1306

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1ms,

Senarai harapan
IS66WVE2M16DBLL-70BLI

IS66WVE2M16DBLL-70BLI

bahagian bahagian: 4315

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS64LPS102436B-166B2LA3-TR

IS64LPS102436B-166B2LA3-TR

bahagian bahagian: 3688

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61LPS25636A-200B3LI

IS61LPS25636A-200B3LI

bahagian bahagian: 5141

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS66WVC4M16ALL-7010BLI

IS66WVC4M16ALL-7010BLI

bahagian bahagian: 4150

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
IS61VPS51236B-200B3LI-TR

IS61VPS51236B-200B3LI-TR

bahagian bahagian: 5520

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
IS42S32160D-6BLI-TR

IS42S32160D-6BLI-TR

bahagian bahagian: 4449

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
IS61NLP102418B-200B3L

IS61NLP102418B-200B3L

bahagian bahagian: 5041

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan