Ingatan

DS1230Y-200IND

DS1230Y-200IND

bahagian bahagian: 111

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
DS1230AB-70

DS1230AB-70

bahagian bahagian: 1654

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
DS1245Y-120IND+

DS1245Y-120IND+

bahagian bahagian: 1908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

Senarai harapan
DS2502X1+U

DS2502X1+U

bahagian bahagian: 6190

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8),

Senarai harapan
DS1245WP-100+

DS1245WP-100+

bahagian bahagian: 2099

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
DS1230YP-70+

DS1230YP-70+

bahagian bahagian: 2397

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
DS2502R+00B

DS2502R+00B

bahagian bahagian: 8875

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8),

Senarai harapan
DS2502R-00C+T&R

DS2502R-00C+T&R

bahagian bahagian: 8924

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8),

Senarai harapan
DS3645B

DS3645B

bahagian bahagian: 5536

Senarai harapan
DS2433X-300-EC#TW

DS2433X-300-EC#TW

bahagian bahagian: 1461

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 1µs,

Senarai harapan
DS1230AB-70IND+

DS1230AB-70IND+

bahagian bahagian: 2589

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
DS24B33G+U

DS24B33G+U

bahagian bahagian: 987

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

Senarai harapan
DS28CN01U-W0D+1T-C

DS28CN01U-W0D+1T-C

bahagian bahagian: 8899

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
DS1225AB-170+

DS1225AB-170+

bahagian bahagian: 3457

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 170ns,

Senarai harapan
DS1225Y-150+

DS1225Y-150+

bahagian bahagian: 3361

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS1345ABP-70+

DS1345ABP-70+

bahagian bahagian: 2648

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
DS1230Y-150+

DS1230Y-150+

bahagian bahagian: 2498

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS1345WP-150+

DS1345WP-150+

bahagian bahagian: 2540

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS1330WP-150+

DS1330WP-150+

bahagian bahagian: 3617

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS1330WP-100+

DS1330WP-100+

bahagian bahagian: 3660

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
DS2501S-UNW-111B/T&R

DS2501S-UNW-111B/T&R

bahagian bahagian: 1413

Senarai harapan
DS1225Y-200+

DS1225Y-200+

bahagian bahagian: 3240

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
DS1230WP-100+

DS1230WP-100+

bahagian bahagian: 2908

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
DS1225Y-150IND+

DS1225Y-150IND+

bahagian bahagian: 3736

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS2502X1+UW

DS2502X1+UW

bahagian bahagian: 8013

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8),

Senarai harapan
DS28E10P-W22+2TW

DS28E10P-W22+2TW

bahagian bahagian: 8019

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 224b (28 x 8),

Senarai harapan
DS1225AD-150+

DS1225AD-150+

bahagian bahagian: 3507

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

Senarai harapan
DS2502AX-500-00/T&R/

DS2502AX-500-00/T&R/

bahagian bahagian: 5251

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8),

Senarai harapan
DS2432X-S+TW

DS2432X-S+TW

bahagian bahagian: 7904

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (1K x 1),

Senarai harapan
DS28E15X+UW

DS28E15X+UW

bahagian bahagian: 8065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (512 x 1),

Senarai harapan
DS28E07+W

DS28E07+W

bahagian bahagian: 8084

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

Senarai harapan
DS28E01G-100+T&R

DS28E01G-100+T&R

bahagian bahagian: 4591

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

Senarai harapan
DS2433AX-S+TW

DS2433AX-S+TW

bahagian bahagian: 8012

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

Senarai harapan
DS28EL15Q-742+3TW

DS28EL15Q-742+3TW

bahagian bahagian: 8078

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (256 x 2),

Senarai harapan
DSQ09G5-004-740

DSQ09G5-004-740

bahagian bahagian: 6846

Senarai harapan
DS1225Y-200IND+

DS1225Y-200IND+

bahagian bahagian: 3594

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan