Ingatan

DS2430A-002-E1+

bahagian bahagian: 7073

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256b (32 x 8),

DS2431X-S+TW

bahagian bahagian: 7990

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS28EL15Q-742+5TW

bahagian bahagian: 8103

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (256 x 2),

DS2431P+W

bahagian bahagian: 9819

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS2433X-300-EC

bahagian bahagian: 4335

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS1225AD-170+

bahagian bahagian: 3928

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 170ns,

DS28EL15Q-742+4TW

bahagian bahagian: 8025

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (256 x 2),

DS1330WP-100IND+

bahagian bahagian: 3946

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS28EL35QA-742+2TW

bahagian bahagian: 8304

DS28EL35QA-742+2BW

bahagian bahagian: 8308

DS28E81P+

bahagian bahagian: 7025

DS28EL22Q+U

bahagian bahagian: 5117

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8),

DS28E81P+T

bahagian bahagian: 7096

DS2431GB+U

bahagian bahagian: 2829

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS28E15Q+U

bahagian bahagian: 40019

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (512 x 1),

DS1220Y-150+

bahagian bahagian: 8206

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

DS28E01P-100+T

bahagian bahagian: 2913

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS28E80Q+U

bahagian bahagian: 2870

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (2K x 1),

DS28E22Q+U

bahagian bahagian: 4686

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (2K x 1),

DS28EL15GA+U

bahagian bahagian: 2899

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (256 x 2),

DS28E01P-100+

bahagian bahagian: 2873

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS28E25G+U

bahagian bahagian: 5031

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (4K x 1),

DS28E25Q+U

bahagian bahagian: 8650

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (4K x 1),

DS28E81+T

bahagian bahagian: 7707

DS28E05GB+U

bahagian bahagian: 2895

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 896b (112 x 8),

DS1220Y-100+

bahagian bahagian: 8168

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS28E81+

bahagian bahagian: 6952

DS1201+C02

bahagian bahagian: 5609

DS28EL15Q-742+6TW

bahagian bahagian: 3734

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (256 x 2),

DSQ3301-K04+TW

bahagian bahagian: 3732

DS1220Y-120+

bahagian bahagian: 3530

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 120ns,

DS28E15G+U

bahagian bahagian: 9351

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 512b (512 x 1),

DS1220AB-200+

bahagian bahagian: 4508

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

DS28E05R+U

bahagian bahagian: 1457

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 896b (112 x 8),

DS28EL25Q+U

bahagian bahagian: 8052

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS1220Y-100IND+

bahagian bahagian: 2678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,