Ingatan

DS2704G+

bahagian bahagian: 4857

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1.25Kb (32 Bytes x 5 pages),

DS1270W-150#

bahagian bahagian: 2684

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

DS1258Y-70IND#

bahagian bahagian: 2709

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS2433Y-Z01/T&R

bahagian bahagian: 1660

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS1250BL-70-IND

bahagian bahagian: 1399

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS1245YL-70

bahagian bahagian: 1378

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS2050W-100#

bahagian bahagian: 44

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS1258W-100

bahagian bahagian: 1330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS2030Y-100#

bahagian bahagian: 9962

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS1345YL-70IND

bahagian bahagian: 1359

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS1201N

bahagian bahagian: 1200

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 4MHz,

DS1350WP-150

bahagian bahagian: 1438

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 150ns,

DS3050W-100#

bahagian bahagian: 45

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS1250YL-70-IND

bahagian bahagian: 1530

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS2433X-S/T&R

bahagian bahagian: 1595

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS1250YL-70

bahagian bahagian: 1459

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS2430A/T&R

bahagian bahagian: 8691

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256b (32 x 8),

DS2431X+U

bahagian bahagian: 2715

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS1245XP-70IND+

bahagian bahagian: 2686

DS1245X-70IND+

bahagian bahagian: 2657

DS1245X-70+

bahagian bahagian: 2657

DS1245XP-70+

bahagian bahagian: 2680

DS2431GA+U

bahagian bahagian: 4442

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS24B33Q+U

bahagian bahagian: 2741

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS3065WP-100IND+

bahagian bahagian: 5888

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS1258AB-70IND#

bahagian bahagian: 1395

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

DS2433G+T&R

bahagian bahagian: 1483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS28DG02E-3C+T

bahagian bahagian: 1488

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 2MHz,

DS28CZ04G-4+T

bahagian bahagian: 1553

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz,

DS28CZ04G-4+

bahagian bahagian: 1471

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz,

DS2431X+

bahagian bahagian: 1585

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS28DG02G-3C+T

bahagian bahagian: 1459

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 2MHz,

DS1258W-100IND#

bahagian bahagian: 1366

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

DS2431Q+U

bahagian bahagian: 1340

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (256 x 4),

DS2433X#T

bahagian bahagian: 1542

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),

DS2433X-S#T

bahagian bahagian: 1579

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (256 x 16),