Ingatan

MT48LC128M4A2P-75:C TR

MT48LC128M4A2P-75:C TR

bahagian bahagian: 9324

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48H8M16LFB4-8 IT TR

MT48H8M16LFB4-8 IT TR

bahagian bahagian: 1004

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M4BG-5B:GTR

MT46V64M4BG-5B:GTR

bahagian bahagian: 9153

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2F5-7:G TR

MT48LC4M32B2F5-7:G TR

bahagian bahagian: 1646

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT53D768M64D8SQ-053 WT:E

MT53D768M64D8SQ-053 WT:E

bahagian bahagian: 113

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT46V8M16P-6T L:D TR

MT46V8M16P-6T L:D TR

bahagian bahagian: 9305

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V16M16TG-5B:F TR

MT46V16M16TG-5B:F TR

bahagian bahagian: 283

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2TG-75 IT:D TR

MT48LC16M16A2TG-75 IT:D TR

bahagian bahagian: 1086

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR

MT52L1G32D4PG-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 1243

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT46V64M8BN-6:F

MT46V64M8BN-6:F

bahagian bahagian: 2877

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V16M16P-6T L:F TR

MT46V16M16P-6T L:F TR

bahagian bahagian: 6936

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2TG-7 IT:G TR

bahagian bahagian: 270

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-6T:F TR

MT46V32M16TG-6T:F TR

bahagian bahagian: 7544

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8TG-6T L:F TR

MT46V64M8TG-6T L:F TR

bahagian bahagian: 8204

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFTG-75M:G TR

MT48LC8M16LFTG-75M:G TR

bahagian bahagian: 5914

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR

MT48LC16M16A2TG-7E IT:D TR

bahagian bahagian: 1189

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT28F128J3RG-12 ET TR

MT28F128J3RG-12 ET TR

bahagian bahagian: 9992

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT46V32M4P-5B:D TR

MT46V32M4P-5B:D TR

bahagian bahagian: 7722

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8FN-6 IT:F

MT46V64M8FN-6 IT:F

bahagian bahagian: 2826

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR

MT29F1HT08EMHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 593

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.5Tb (192G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT48LC128M4A2TG-75:C TR

MT48LC128M4A2TG-75:C TR

bahagian bahagian: 1037

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT44K64M18RB-083F:A TR

MT44K64M18RB-083F:A TR

bahagian bahagian: 85

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 1200MHz,

Senarai harapan
MT46V32M8FG-6:G TR

MT46V32M8FG-6:G TR

bahagian bahagian: 308

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8BT-37E L:A

MT47H128M8BT-37E L:A

bahagian bahagian: 2851

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M25P40-VMN6TP TR

M25P40-VMN6TP TR

bahagian bahagian: 5794

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 50MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
MT46V64M8TG-6T IT:D TR

MT46V64M8TG-6T IT:D TR

bahagian bahagian: 814

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
TE28F160C3TD70A

TE28F160C3TD70A

bahagian bahagian: 7274

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MTFC128GAJAEDN-IT TR

MTFC128GAJAEDN-IT TR

bahagian bahagian: 655

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT47H32M16CC-37E L:B

MT47H32M16CC-37E L:B

bahagian bahagian: 8347

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
PC28F128P30T85A

PC28F128P30T85A

bahagian bahagian: 9632

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
M29W320EB70N6E

M29W320EB70N6E

bahagian bahagian: 37473

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT53B512M64D4NH-062 WT:C

MT53B512M64D4NH-062 WT:C

bahagian bahagian: 41

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

Senarai harapan
MT47H16M16BG-37E:B TR

MT47H16M16BG-37E:B TR

bahagian bahagian: 928

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MTFC128GAJAECE-AIT

MTFC128GAJAECE-AIT

bahagian bahagian: 93

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR

MT48LC16M8A2FB-75 IT:G TR

bahagian bahagian: 2176

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
RC28F256J3C125SL7HE

RC28F256J3C125SL7HE

bahagian bahagian: 7308

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 125ns,

Senarai harapan