Ingatan

28032116

28032116

bahagian bahagian: 9819

Senarai harapan
28153735

28153735

bahagian bahagian: 8181

Senarai harapan
BK58F0095HVX010A

BK58F0095HVX010A

bahagian bahagian: 2305

Senarai harapan
BK58F0088HVX001A

BK58F0088HVX001A

bahagian bahagian: 2274

Senarai harapan
BK58F0094HVX000A

BK58F0094HVX000A

bahagian bahagian: 2264

Senarai harapan
MT47H16M16BG-3 IT:B TR

MT47H16M16BG-3 IT:B TR

bahagian bahagian: 523

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29E6T08ETHBBM5-3:B

MT29E6T08ETHBBM5-3:B

bahagian bahagian: 132

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 6Tb (768G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-5E IT:D TR

MT47H32M16BN-5E IT:D TR

bahagian bahagian: 723

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

MT29F2G01ABAGDSF-AAT:G TR

bahagian bahagian: 120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (2G x 1),

Senarai harapan
MT46V64M8BN-6 IT:F TR

MT46V64M8BN-6 IT:F TR

bahagian bahagian: 570

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H256M4B7-37E:A

MT47H256M4B7-37E:A

bahagian bahagian: 9134

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (256M x 4), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-37E IT:D TR

MT47H32M16BN-37E IT:D TR

bahagian bahagian: 823

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

MT29F4T08CTHBBM5-3R:B

bahagian bahagian: 60

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT47H64M8B6-25E IT:D TR

MT47H64M8B6-25E IT:D TR

bahagian bahagian: 805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H64M8B6-25:D TR

MT47H64M8B6-25:D TR

bahagian bahagian: 637

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8B7-37E:A TR

MT47H128M8B7-37E:A TR

bahagian bahagian: 9361

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8B7-5E L:A TR

MT47H128M8B7-5E L:A TR

bahagian bahagian: 9254

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W8MW16BGX-701 WT TR

MT45W8MW16BGX-701 WT TR

bahagian bahagian: 504

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-25E:D TR

MT47H32M16BN-25E:D TR

bahagian bahagian: 680

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H256M4B7-5E:A

MT47H256M4B7-5E:A

bahagian bahagian: 9141

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (256M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H64M8B6-5E IT:D TR

MT47H64M8B6-5E IT:D TR

bahagian bahagian: 671

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8B7-5E:A

MT47H128M8B7-5E:A

bahagian bahagian: 9254

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16A2F4-75:G TR

MT48LC8M16A2F4-75:G TR

bahagian bahagian: 5083

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H64M16B7-5E:A

MT47H64M16B7-5E:A

bahagian bahagian: 9415

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-25:D TR

MT47H32M16BN-25:D TR

bahagian bahagian: 668

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

MT29E4T08CTHBBM5-3:B TR

bahagian bahagian: 179

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT47H64M8B6-37E IT:D TR

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

bahagian bahagian: 734

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46H8M32LFB5-75:A TR

MT46H8M32LFB5-75:A TR

bahagian bahagian: 495

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M16A2F4-75:G TR

MT48LC4M16A2F4-75:G TR

bahagian bahagian: 790

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-3 IT:D TR

MT47H32M16BN-3 IT:D TR

bahagian bahagian: 813

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

MT48LC4M16A2B4-7E:G TR

bahagian bahagian: 843

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT47H32M16BN-37E:D TR

MT47H32M16BN-37E:D TR

bahagian bahagian: 579

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8BN-6 L:F TR

MT46V64M8BN-6 L:F TR

bahagian bahagian: 541

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8B7-37E:A

MT47H128M8B7-37E:A

bahagian bahagian: 9244

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M29F010B70K6F TR

M29F010B70K6F TR

bahagian bahagian: 9590

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan