Ingatan

MT48LC16M8A2P-75:GTR

MT48LC16M8A2P-75:GTR

bahagian bahagian: 9247

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3RG-115 ET TR

MT28F640J3RG-115 ET TR

bahagian bahagian: 95

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

MT53D512M64D4NZ-053 WT:D

bahagian bahagian: 89

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MTFC128GAJAECE-AIT TR

MTFC128GAJAECE-AIT TR

bahagian bahagian: 102

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

Senarai harapan
MT29F4G08BABWP-ET

MT29F4G08BABWP-ET

bahagian bahagian: 6156

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
MT48LC8M16A2P-7E:G TR

MT48LC8M16A2P-7E:G TR

bahagian bahagian: 1954

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D

MT53D1024M32D4DT-053 AAT:D

bahagian bahagian: 106

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR

bahagian bahagian: 1061

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT46V16M8P-6T:DTR

MT46V16M8P-6T:DTR

bahagian bahagian: 9038

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2TG-75:D TR

MT48LC16M16A2TG-75:D TR

bahagian bahagian: 2136

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8P-6T:F

MT46V64M8P-6T:F

bahagian bahagian: 8238

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MTFC64GAJAEDN-AIT TR

MTFC64GAJAEDN-AIT TR

bahagian bahagian: 989

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
MT48LC16M8A2P-75IT:GTR

MT48LC16M8A2P-75IT:GTR

bahagian bahagian: 9228

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
TE28F160B3TD70A

TE28F160B3TD70A

bahagian bahagian: 1710

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V64M8FN-5B:D TR

MT46V64M8FN-5B:D TR

bahagian bahagian: 715

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

MT48LC4M32B2B5-7 IT:G TR

bahagian bahagian: 9510

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT44K64M18RB-093E:A

MT44K64M18RB-093E:A

bahagian bahagian: 130

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 1067MHz,

Senarai harapan
MT46V32M8BG-6 IT:G TR

MT46V32M8BG-6 IT:G TR

bahagian bahagian: 7889

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H64M8CB-5E IT:B TR

MT47H64M8CB-5E IT:B TR

bahagian bahagian: 8630

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8P-6T IT:F

MT46V64M8P-6T IT:F

bahagian bahagian: 8215

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M8P-6TL:GTR

MT46V32M8P-6TL:GTR

bahagian bahagian: 9113

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M29F400BT70N6

M29F400BT70N6

bahagian bahagian: 966

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2TG-7E:D TR

MT48LC16M16A2TG-7E:D TR

bahagian bahagian: 1217

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V256M4P-75:A

MT46V256M4P-75:A

bahagian bahagian: 7067

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (256M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46H8M16LFCF-75

MT46H8M16LFCF-75

bahagian bahagian: 6471

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-5B:F

MT46V32M16P-5B:F

bahagian bahagian: 7195

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V128M4TG-5B:F

MT46V128M4TG-5B:F

bahagian bahagian: 6653

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MTFC64GAJAECE-AIT

MTFC64GAJAECE-AIT

bahagian bahagian: 54

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8),

Senarai harapan
MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

MT29F128G08AKCABH2-10ITZ:A

bahagian bahagian: 675

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2TG-6:G TR

MT48LC4M32B2TG-6:G TR

bahagian bahagian: 1815

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT47H32M16CC-5E IT:B

MT47H32M16CC-5E IT:B

bahagian bahagian: 8433

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2P-75:D TR

MT48LC32M8A2P-75:D TR

bahagian bahagian: 9490

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BCGB-708 WT

MT45W4MW16BCGB-708 WT

bahagian bahagian: 6389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC32M16A2TG-75:C TR

MT48LC32M16A2TG-75:C TR

bahagian bahagian: 1353

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan