Ingatan

MT48V8M16LFB4-10 IT:G TR

bahagian bahagian: 3260

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F256G08AKCBBH7-6IT:B TR

bahagian bahagian: 467

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT28F320J3BS-11 ET TR

bahagian bahagian: 3333

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT53D768M64D8NZ-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 49

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT46V32M16FN-6 IT:C TR

bahagian bahagian: 6246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D512M64D4NZ-046 WT:E

bahagian bahagian: 64

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F1T08CMHBBJ4-3R:B TR

bahagian bahagian: 678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT46V32M16BN-6 IT:F

bahagian bahagian: 7042

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC16M16A2BG-75:D TR

bahagian bahagian: 9425

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

GE28F160C3TD70A

bahagian bahagian: 7333

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT46V128M8P-6T:A TR

bahagian bahagian: 6691

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC8M16A2P-75 IT:G TR

bahagian bahagian: 1921

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V32M8TG-6T L:G TR

bahagian bahagian: 386

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53B512M64D4TX-053 WT:C

bahagian bahagian: 98

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT46V16M16P-6T:F TR

bahagian bahagian: 9348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR

bahagian bahagian: 87

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT48LC16M8A2FB-75:G TR

bahagian bahagian: 1215

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC32M16A2P-75:C TR

bahagian bahagian: 1363

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

RC28F320C3BD70A

bahagian bahagian: 7340

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

PC28F160C3BD70A

bahagian bahagian: 9708

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT46V32M16FN-6:F TR

bahagian bahagian: 7201

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC2M32B2TG-7 IT:G TR

bahagian bahagian: 2154

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT53D1024M32D4DT-053 AIT:D TR

bahagian bahagian: 85

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29TZZZ7D7EKKBT-107 W.97V TR

bahagian bahagian: 1080

MT46V32M16P-6T IT:F

bahagian bahagian: 7260

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53D1024M32D4DT-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 88

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

M29F040B90K6

bahagian bahagian: 8827

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

MT29F128G08AKCABH2-10Z:A TR

bahagian bahagian: 754

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

PC28F128P30B85A

bahagian bahagian: 9647

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

MT47H64M8CB-25:B TR

bahagian bahagian: 8522

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

M25P20-VMP6

bahagian bahagian: 7364

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 50MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

MT46V32M16TG-5B:F TR

bahagian bahagian: 7496

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT44K16M36RB-093E IT:B TR

bahagian bahagian: 64

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

TE28F160C3BD90A

bahagian bahagian: 4750

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - Boot Block, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

M25P32-VMF6G

bahagian bahagian: 7426

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

M25P16-VMF6P

bahagian bahagian: 61341

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,