Transistor - FET, MOSFET - RF | Produk Semikonduktor Diskrit | 31

NXP USA Inc.

MRF6P18190HR6

bahagian bahagian: 6313

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 15.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF21045LSR5

bahagian bahagian: 6324

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S16150HR3

bahagian bahagian: 6319

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.6GHz ~ 1.66GHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6P24190HR5

bahagian bahagian: 6328

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.39GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S35120HSR3

bahagian bahagian: 4695

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 3.1GHz ~ 3.5GHz, Keuntungan: 12dB, Voltan - Ujian: 32V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S4140HSR5

bahagian bahagian: 6270

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 465MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35003M6R5

bahagian bahagian: 6273

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 9dB, Voltan - Ujian: 6V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9060MBR1

bahagian bahagian: 6260

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21.4dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S9045NBR1

bahagian bahagian: 6088

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 22.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF19090SR3

bahagian bahagian: 6363

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9200HR3

bahagian bahagian: 6380

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8S26060HSR5

bahagian bahagian: 6080

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 16.3dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF19125R5

bahagian bahagian: 6055

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz, Keuntungan: 13.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFE6S9135HR3

bahagian bahagian: 6309

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 940MHz, Keuntungan: 21dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF1570NT1

bahagian bahagian: 2602

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 470MHz, Keuntungan: 11.5dB, Voltan - Ujian: 12.5V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21210HR3

bahagian bahagian: 6362

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9120LR3

bahagian bahagian: 6354

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5P20180HR6

bahagian bahagian: 6310

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6VP121KHSR6

bahagian bahagian: 6359

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.03GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35005MT1

bahagian bahagian: 6265

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 11dB, Voltan - Ujian: 12V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S19150HR5

bahagian bahagian: 6297

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.93GHz ~ 1.99GHz, Keuntungan: 14dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF8S9202NR3

bahagian bahagian: 6036

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 920MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V2300NR1

bahagian bahagian: 1054

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 220MHz, Keuntungan: 25.5dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21050LSR3

bahagian bahagian: 6329

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF5S9150HR5

bahagian bahagian: 6297

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 880MHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF21045LSR3

bahagian bahagian: 6339

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21050LSR5

bahagian bahagian: 6345

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.16GHz, Keuntungan: 16dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S16150HR5

bahagian bahagian: 4725

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.6GHz ~ 1.66GHz, Keuntungan: 19.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6P21190HR5

bahagian bahagian: 4627

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.12GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21100HSR3

bahagian bahagian: 6075

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 15.9dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MMRF1311HR5

bahagian bahagian: 6034

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 470MHz ~ 860MHz, Keuntungan: 20dB,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF9030LSR5

bahagian bahagian: 6323

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 945MHz, Keuntungan: 19dB, Voltan - Ujian: 26V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6V4300NR5

bahagian bahagian: 999

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 450MHz, Keuntungan: 22dB, Voltan - Ujian: 50V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRFG35002N6R5

bahagian bahagian: 6162

Jenis Transistor: pHEMT FET, Kekerapan: 3.55GHz, Keuntungan: 10dB, Voltan - Ujian: 6V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF6S21140HR5

bahagian bahagian: 6333

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.12GHz, Keuntungan: 15.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan

NXP USA Inc.

MRF7S21150HR5

bahagian bahagian: 6388

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.11GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 17.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

Senarai harapan