Ingatan | Litar Bersepadu (IC) | 22

BR93L46FJ-WE2

bahagian bahagian: 156164

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93L46RF-WE2

bahagian bahagian: 126840

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93L46RFJ-WE2

bahagian bahagian: 158516

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93L46F-WE2

bahagian bahagian: 111222

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-DS6TP

bahagian bahagian: 101049

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-RDS6TP

bahagian bahagian: 138174

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L02FVJ-WE2

bahagian bahagian: 104003

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L01AFVJ-WE2

bahagian bahagian: 135261

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-WDS6TP

bahagian bahagian: 132380

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-DS6TP

bahagian bahagian: 123492

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-WDS6TP

bahagian bahagian: 120822

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-RDS6TP

bahagian bahagian: 120529

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93H86RFVT-2CE2

bahagian bahagian: 9999

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128FVJ-3GTE2

bahagian bahagian: 193792

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-WMN6TP

bahagian bahagian: 166730

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-RMN6TP

bahagian bahagian: 184058

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-WMN6TP

bahagian bahagian: 116140

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-RMN6TP

bahagian bahagian: 197791

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-MN6TP

bahagian bahagian: 162860

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L01AFJ-WE2

bahagian bahagian: 106977

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128FVT-3GE2

bahagian bahagian: 162307

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24T64NUX-WTR

bahagian bahagian: 147210

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-10TU-1.8

bahagian bahagian: 172416

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-WDW6TP

bahagian bahagian: 146715

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-DW6TP

bahagian bahagian: 144046

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-10TU-2.7

bahagian bahagian: 125457

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-DW6TP

bahagian bahagian: 109825

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C01-RDW6TP

bahagian bahagian: 138700

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C02-WDW6TP

bahagian bahagian: 152498

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93H76RFJ-2CE2

bahagian bahagian: 10840

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (512 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G64FJ-3AGTE2

bahagian bahagian: 128145

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G64FVJ-3AGTE2

bahagian bahagian: 153346

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G64FJ-3GTE2

bahagian bahagian: 101861

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25G128F-3GE2

bahagian bahagian: 78

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93L56RFVM-WTR

bahagian bahagian: 146474

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (128 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L02FVM-WTR

bahagian bahagian: 113430

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan