Ingatan | Litar Bersepadu (IC) | 22

BR25010N-10SU-1.8

bahagian bahagian: 163077

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25L010F-WE2

bahagian bahagian: 163135

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24T128FV-WE2

bahagian bahagian: 180888

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128F-3AGTE2

bahagian bahagian: 164371

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24S32FVM-WTR

bahagian bahagian: 165216

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24S32FVT-WE2

bahagian bahagian: 165306

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L16FJ-WE2

bahagian bahagian: 174122

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L16FV-WE2

bahagian bahagian: 166201

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128FVM-3GTTR

bahagian bahagian: 169531

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24S16FVJ-WE2

bahagian bahagian: 181633

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128FVT-3AGE2

bahagian bahagian: 169564

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128FVM-3AGTTR

bahagian bahagian: 169538

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24T128FVJ-WE2

bahagian bahagian: 180875

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24S16FVM-WTR

bahagian bahagian: 187365

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G128NUX-3ATTR

bahagian bahagian: 173371

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25H320F-2CE2

bahagian bahagian: 10829

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G256F-3GTE2

bahagian bahagian: 174243

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24G256F-3AGTE2

bahagian bahagian: 174231

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-RDW6TP

bahagian bahagian: 171463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-WDW6TP

bahagian bahagian: 171496

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16A-10TU-1.8

bahagian bahagian: 171527

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16A-10TU-2.7

bahagian bahagian: 171499

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L16FVM-WTR

bahagian bahagian: 171501

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-DW6TP

bahagian bahagian: 171461

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25H160FJ-2CE2

bahagian bahagian: 71

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25H320FJ-2CE2

bahagian bahagian: 10791

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25S320NUX-WTR

bahagian bahagian: 172137

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR25G128FVT-3GE2

bahagian bahagian: 173175

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR93L76RFV-WE2

bahagian bahagian: 173423

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (512 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24A02F-WME2

bahagian bahagian: 111

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24S08FVJ-WE2

bahagian bahagian: 189765

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24A02FJ-WME2

bahagian bahagian: 135

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24L16F-WE2

bahagian bahagian: 174024

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-RMN6TP

bahagian bahagian: 174073

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 100kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-WMN6TP

bahagian bahagian: 174072

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan

Rohm Semiconductor

BR24C16-MN6TP

bahagian bahagian: 174089

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan