Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Ingatan

BR25H020F-2LBH2
Rohm Semiconductor

BR25H020F-2LBH2

bahagian bahagian: 111

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 4ms,

Senarai harapan
BR25040N-10SU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25040N-10SU-1.8

bahagian bahagian: 5772

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L010FV-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L010FV-WE2

bahagian bahagian: 154544

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L010FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L010FVJ-WE2

bahagian bahagian: 154569

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24L32F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24L32F-WE2

bahagian bahagian: 154505

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BU9833GUL-WE2
Rohm Semiconductor

BU9833GUL-WE2

bahagian bahagian: 154586

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25020-10TU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25020-10TU-1.8

bahagian bahagian: 155087

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L020FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L020FVT-WE2

bahagian bahagian: 155144

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25020-10TU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25020-10TU-2.7

bahagian bahagian: 155083

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L020FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR25L020FVM-WTR

bahagian bahagian: 155088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L040FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L040FVT-WE2

bahagian bahagian: 158887

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L040FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR25L040FVM-WTR

bahagian bahagian: 158888

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25040-10TU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25040-10TU-2.7

bahagian bahagian: 158891

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25040-10TU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25040-10TU-1.8

bahagian bahagian: 158902

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR95040-WDW6TP
Rohm Semiconductor

BR95040-WDW6TP

bahagian bahagian: 158934

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L020F-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L020F-WE2

bahagian bahagian: 159001

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25020N-10SU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25020N-10SU-1.8

bahagian bahagian: 158999

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25020N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25020N-10SU-2.7

bahagian bahagian: 159016

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24T16-W
Rohm Semiconductor

BR24T16-W

bahagian bahagian: 159217

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24L01A-W
Rohm Semiconductor

BR24L01A-W

bahagian bahagian: 159281

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24G16-3
Rohm Semiconductor

BR24G16-3

bahagian bahagian: 159200

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24S08FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S08FVT-WE2

bahagian bahagian: 195779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L010FVT-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L010FVT-WE2

bahagian bahagian: 159450

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25010-10TU-1.8
Rohm Semiconductor

BR25010-10TU-1.8

bahagian bahagian: 159496

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25010-10TU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25010-10TU-2.7

bahagian bahagian: 159485

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L010FVM-WTR
Rohm Semiconductor

BR25L010FVM-WTR

bahagian bahagian: 159449

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24S32F-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S32F-WE2

bahagian bahagian: 160159

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24S32FVJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR24S32FVJ-WE2

bahagian bahagian: 160132

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 32Kb (4K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24G128F-3GTE2
Rohm Semiconductor

BR24G128F-3GTE2

bahagian bahagian: 164357

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR93L86F-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L86F-WE2

bahagian bahagian: 161322

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR93L86RFJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR93L86RFJ-WE2

bahagian bahagian: 161369

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24A04F-WME2
Rohm Semiconductor

BR24A04F-WME2

bahagian bahagian: 10779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24G08-3
Rohm Semiconductor

BR24G08-3

bahagian bahagian: 5518

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR24T08-W
Rohm Semiconductor

BR24T08-W

bahagian bahagian: 5365

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25L010FJ-WE2
Rohm Semiconductor

BR25L010FJ-WE2

bahagian bahagian: 163138

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 5MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
BR25010N-10SU-2.7
Rohm Semiconductor

BR25010N-10SU-2.7

bahagian bahagian: 163161

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8), Kekerapan Jam: 3MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan