Ingatan

M95040-WMN6T

M95040-WMN6T

bahagian bahagian: 1124

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 20MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M27C4001-12C1

M27C4001-12C1

bahagian bahagian: 8120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M93C66-WMN6

M93C66-WMN6

bahagian bahagian: 1291

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C86-MN6T

M93C86-MN6T

bahagian bahagian: 1149

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8, 1K x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M27C4001-12F1

M27C4001-12F1

bahagian bahagian: 8066

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M27C256B-15F1

M27C256B-15F1

bahagian bahagian: 7990

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M27C1001-12C1

M27C1001-12C1

bahagian bahagian: 7518

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M48Z35Y-70MH1E

M48Z35Y-70MH1E

bahagian bahagian: 1639

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M27C512-12C1

M27C512-12C1

bahagian bahagian: 823

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M24C64-WMN6T

M24C64-WMN6T

bahagian bahagian: 9345

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C66-MN6

M93C66-MN6

bahagian bahagian: 1331

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8, 256 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M24C02-WDW6T

M24C02-WDW6T

bahagian bahagian: 9231

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
DSM2180F3-90K6

DSM2180F3-90K6

bahagian bahagian: 7463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M48Z12-200PC1

M48Z12-200PC1

bahagian bahagian: 1521

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 200ns,

Senarai harapan
M27C4001-10F1

M27C4001-10F1

bahagian bahagian: 8024

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M29W800DB90N6T

M29W800DB90N6T

bahagian bahagian: 9214

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
M27C512-15B1

M27C512-15B1

bahagian bahagian: 8241

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M58LW032D110ZA6

M58LW032D110ZA6

bahagian bahagian: 9031

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
M27C4001-15C1

M27C4001-15C1

bahagian bahagian: 8145

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M34C02-LDW6TP

M34C02-LDW6TP

bahagian bahagian: 6103

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ms,

Senarai harapan
DSM2180F3V-15T6

DSM2180F3V-15T6

bahagian bahagian: 7464

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M27C256B-90C1

M27C256B-90C1

bahagian bahagian: 8016

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M27C1001-10C1

M27C1001-10C1

bahagian bahagian: 7461

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M24C04-WDW6T

M24C04-WDW6T

bahagian bahagian: 9276

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M93C46-BN6

M93C46-BN6

bahagian bahagian: 1072

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (128 x 8, 64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
M68AW512ML70ND6

M68AW512ML70ND6

bahagian bahagian: 9087

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
M24C02-WBN6

M24C02-WBN6

bahagian bahagian: 9460

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 2Kb (256 x 8), Kekerapan Jam: 400kHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
NAND01GW3B2AN6E

NAND01GW3B2AN6E

bahagian bahagian: 5796

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 30ns,

Senarai harapan
M27C256B-70C1

M27C256B-70C1

bahagian bahagian: 7936

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8),

Senarai harapan
M27C512-12B1

M27C512-12B1

bahagian bahagian: 8221

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
M28W320CT90N6

M28W320CT90N6

bahagian bahagian: 8718

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
M27C4001-10B1

M27C4001-10B1

bahagian bahagian: 8075

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8),

Senarai harapan
M27C1001-15B1

M27C1001-15B1

bahagian bahagian: 830

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - OTP, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8),

Senarai harapan
M27C512-10F1

M27C512-10F1

bahagian bahagian: 8225

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EPROM, Teknologi: EPROM - UV, Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8),

Senarai harapan
NAND512R3A3AZA6E

NAND512R3A3AZA6E

bahagian bahagian: 7641

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
M93S46-WMN6

M93S46-WMN6

bahagian bahagian: 1217

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: EEPROM, Teknologi: EEPROM, Saiz Ingatan: 1Kb (64 x 16), Kekerapan Jam: 2MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan