Transistor - FET, MOSFET - RF

PXAC210552ND-V1-R5

bahagian bahagian: 99

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 1.805GHz ~ 2.17GHz, Keuntungan: 6.5dB, Peringkat Semasa: 1µA,

PTFB092707FH-V1-R250

bahagian bahagian: 94

PTFC262808FV-V1

bahagian bahagian: 136

PTFB090901EA-V2-R250

bahagian bahagian: 107

PTVA030121EA-V1-R0

bahagian bahagian: 333

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 390MHz ~ 450MHz, Keuntungan: 25dB, Voltan - Ujian: 50V,

PTFB182557SH-V1-R250

bahagian bahagian: 98

PXAC261212FC-V1-R250

bahagian bahagian: 152

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211503FL-V2-R0

bahagian bahagian: 128

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTAC260302FC-V1-R250

bahagian bahagian: 80

PTFA220041M-V4-R1K

bahagian bahagian: 5986

PTFB212503EL-V1-R0

bahagian bahagian: 6239

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.1dB, Voltan - Ujian: 30V,

CRF24060FE

bahagian bahagian: 6155

Jenis Transistor: Silicon Carbide MESFET, Kekerapan: 1.1GHz, Keuntungan: 13dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 9A,

PTFA220041M-V4

bahagian bahagian: 6006

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 940MHz, Keuntungan: 18.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211501E-V1-R0

bahagian bahagian: 6270

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

CRF24010FE

bahagian bahagian: 6138

Jenis Transistor: Silicon Carbide MESFET, Kekerapan: 1.95GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 1.8A, Gambar Kebisingan: 3.1dB,

PTFA220081M-V4

bahagian bahagian: 6240

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 940MHz, Keuntungan: 20.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

PXAC261002FC-V1

bahagian bahagian: 6241

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 15.1dB, Voltan - Ujian: 26V,

PTFB183404E-V1-R250

bahagian bahagian: 6074

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 1.88GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 30V,

PXAC261212FC-V1

bahagian bahagian: 6212

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211503EL-V1-R0

bahagian bahagian: 6237

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PXAC201202FC-V2

bahagian bahagian: 6203

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.2GHz, Keuntungan: 17dB, Voltan - Ujian: 28V,

CRF24010PE

bahagian bahagian: 6161

Jenis Transistor: Silicon Carbide MESFET, Kekerapan: 1.95GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 48V, Peringkat Semasa: 1.8A, Gambar Kebisingan: 3.1dB,

PTFB212503EL-V1-R250

bahagian bahagian: 6274

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18.1dB, Voltan - Ujian: 30V,

CGHV27100F

bahagian bahagian: 635

Jenis Transistor: HEMT, Kekerapan: 2.5GHz ~ 2.7GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 50V, Peringkat Semasa: 6A,

PXAC241702FC-V1

bahagian bahagian: 6289

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz, Keuntungan: 16.5dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTVA120251EA-V1-R250

bahagian bahagian: 6269

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 15.8dB, Peringkat Semasa: 10µA,

PXAC243502FV-V1

bahagian bahagian: 6282

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.4GHz, Keuntungan: 15dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211501E-V1-R250

bahagian bahagian: 6202

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTFC260202FC-V1

bahagian bahagian: 6213

Jenis Transistor: LDMOS (Dual), Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 20dB, Voltan - Ujian: 28V,

PXAC260602FC-V1

bahagian bahagian: 6272

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 15.7dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFB211503EL-V1-R250

bahagian bahagian: 6263

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.17GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 30V,

PTFC261402FC-V1

bahagian bahagian: 6229

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.69GHz, Keuntungan: 18dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTFA220121M-V4

bahagian bahagian: 6177

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 2.14GHz, Keuntungan: 16.2dB, Voltan - Ujian: 28V,

PTVA120251EA-V1

bahagian bahagian: 6245

Jenis Transistor: LDMOS, Kekerapan: 500MHz ~ 1.4GHz, Keuntungan: 15.8dB, Peringkat Semasa: 10µA,