Ingatan

CY7C1069GN30-10BVXI

bahagian bahagian: 2347

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S40135MM270B0S010

bahagian bahagian: 310

CY7C1371KV33-133AXC

bahagian bahagian: 2559

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1062GE30-10BGXIT

bahagian bahagian: 2606

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061GE-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2965

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1061G-10ZXIT

bahagian bahagian: 2908

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1382KV33-167AXC

bahagian bahagian: 2486

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY7C1059DV33-12ZSXQT

bahagian bahagian: 89

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

CY14B101LA-SP25XI

bahagian bahagian: 2648

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1061G18-15BVJXIT

bahagian bahagian: 2971

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1371KV33-100AXI

bahagian bahagian: 2494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

S29PL032J70BFI120A

bahagian bahagian: 4641

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY7C1372KV33-167AXI

bahagian bahagian: 2799

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

STK14C88B-NF35UTR

bahagian bahagian: 1236

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

S99AL008D

bahagian bahagian: 600

CY7C1312LV18-250BZXC

bahagian bahagian: 154

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1069GE30-10ZSXIT

bahagian bahagian: 2961

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY7C1069G-10BVXI

bahagian bahagian: 2771

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CY14B104K-ZS25XI

bahagian bahagian: 2992

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8211AA

bahagian bahagian: 1208

QMP29GL064A90TFIR20H

bahagian bahagian: 5023

CY7C1061G-10BVXIT

bahagian bahagian: 2978

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S29WS128N0SBFW010

bahagian bahagian: 175

S98WS512N0GFW0180G

bahagian bahagian: 498

CY7C1393KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 2713

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

S99PL064J0030

bahagian bahagian: 6045

CY14B104LA-ZS25XIT

bahagian bahagian: 3035

CY7C1314KV18-250BZXC

bahagian bahagian: 2656

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

S29PL127J60TFID30H

bahagian bahagian: 6270

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128M (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29WS128N0SBAW013

bahagian bahagian: 145

S29PL032J55BFI120A

bahagian bahagian: 6021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY14B104M-ZSP25XI

bahagian bahagian: 2993

S29WS128N0PBAW010

bahagian bahagian: 10017

S99FL008A0LMFI001

bahagian bahagian: 644

CY7C107D-10VXIT

bahagian bahagian: 2931

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (1M x 1), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S29WS128N0SBAW010

bahagian bahagian: 166