Ingatan

CG8278AAT

bahagian bahagian: 49727

CG8351AA

bahagian bahagian: 455

CY15B104Q-LHXIT

bahagian bahagian: 3989

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CG8606AA

bahagian bahagian: 2082

CG8267AAT

bahagian bahagian: 374

CY14B256KA-SP45XI

bahagian bahagian: 4058

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY14B101LA-SZ45XIT

bahagian bahagian: 3862

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8303AA

bahagian bahagian: 1694

CG8016AMT

bahagian bahagian: 589

CG8275AAT

bahagian bahagian: 11064

S99-50055-02

bahagian bahagian: 1411

CY7C1381KV33-133AXIT

bahagian bahagian: 3410

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

MSP17LV164-E1-TH-001

bahagian bahagian: 2162

CG8014AA

bahagian bahagian: 2206

S30MS512R25TFW100

bahagian bahagian: 960

S30ML256P30TFI000

bahagian bahagian: 9233

S30MS512R25TFW010

bahagian bahagian: 8695

S25FL129P0XXEI909

bahagian bahagian: 2214

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

CG8248AAT

bahagian bahagian: 272

CY7C1313KV18-250BZCT

bahagian bahagian: 3830

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY14V101LA-BA45XI

bahagian bahagian: 4310

S26KS512SDGBHM030

bahagian bahagian: 3384

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S25FL129P0XMFI000M

bahagian bahagian: 2116

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S30ML02GP50TFI010

bahagian bahagian: 8039

IS29GL512S-11DHB02

bahagian bahagian: 851

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8212AAT

bahagian bahagian: 54

CY7C1314KV18-250BZXCT

bahagian bahagian: 3749

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CG8304AA

bahagian bahagian: 1803

CY7C1370KV33-200AXCT

bahagian bahagian: 3410

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CG7796AA

bahagian bahagian: 1712

S99-50349

bahagian bahagian: 1445

CY7C1051H30-10BV1XE

bahagian bahagian: 3651

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

IS29GL01GS-11TFV01

bahagian bahagian: 7507

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8716AA

bahagian bahagian: 2153

IS29GL01GS-11TFV01-TR

bahagian bahagian: 7476

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29GL512N11FFA023

bahagian bahagian: 3088

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,