Ingatan

CG8413AAT

bahagian bahagian: 1881

IS29GL512S-11DHV01

bahagian bahagian: 7802

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1024DV33-10BGXI

bahagian bahagian: 3968

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 3Mb (128K x 24), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S70GL02GS11FHV020

bahagian bahagian: 3307

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

S30ML512P30TFI503

bahagian bahagian: 8384

CY14B101LA-BA45XI

bahagian bahagian: 3557

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

IS29GL512S-11DHB01

bahagian bahagian: 7780

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8065AAT

bahagian bahagian: 1998

S30ML512P30TFI003

bahagian bahagian: 8339

S25FL129P0XMFV013M

bahagian bahagian: 1222

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S34ML08G101TFI200

bahagian bahagian: 2929

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14B101LA-ZS20XIT

bahagian bahagian: 4003

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

CY14B101KA-ZS25XIT

bahagian bahagian: 4038

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1386KV33-167AXCT

bahagian bahagian: 3563

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

S25FL128P0XMFI003M

bahagian bahagian: 2120

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3µs,

CY14B101LA-ZS20XI

bahagian bahagian: 3615

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

CY7C1361C-100AXET

bahagian bahagian: 3732

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C1371KV33-133AXCT

bahagian bahagian: 3509

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

CG8090AA

bahagian bahagian: 812

CG8328AMT

bahagian bahagian: 409

CG8303AAT

bahagian bahagian: 9288

CG8405AA

bahagian bahagian: 2106

CG8318AAT

bahagian bahagian: 2039

CG7859AA

bahagian bahagian: 1842

S25FL129P0XMFI003M

bahagian bahagian: 1061

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

IS29GL256S-10DHV02

bahagian bahagian: 7693

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8097AA

bahagian bahagian: 2328

IS29GL128S-10TFV02-TR

bahagian bahagian: 7647

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1321KV18-250BZCT

bahagian bahagian: 3823

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CG8315AAT

bahagian bahagian: 1761

CG8273AAT

bahagian bahagian: 436

S30MS01GR25TFW000

bahagian bahagian: 8554

S25FL129P0XMFV001M

bahagian bahagian: 1117

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

CY14B101LA-SP45XIT

bahagian bahagian: 3873

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

MSP14LV160-E1-TK-001

bahagian bahagian: 819

S99-50043-02

bahagian bahagian: 1342