Ingatan

CY14B102NS-BA45XCT

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C024E-55AXC

bahagian bahagian: 81

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (4K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CG8250AA

bahagian bahagian: 253

CY7C1386KV33-200AXCT

bahagian bahagian: 3516

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CG8203AA

bahagian bahagian: 10011

S99-50350

bahagian bahagian: 1454

S99-50055-01

bahagian bahagian: 1442

CY7C1372KV25-167AXCT

bahagian bahagian: 3510

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

CG7911AMT

bahagian bahagian: 569

CG8236AA

bahagian bahagian: 145

S30ML512P50TFI033

bahagian bahagian: 8469

S30MS01GP25TFW010A

bahagian bahagian: 8063

CY7C1393KV18-250BZI

bahagian bahagian: 3492

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

S34ML08G101TFI000

bahagian bahagian: 2481

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8328AM

bahagian bahagian: 457

CG7839AAT

bahagian bahagian: 1935

IS29GL256S-10TFV01

bahagian bahagian: 7719

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MSP14LV320-E1-TH-001

bahagian bahagian: 2167

CG7839AA

bahagian bahagian: 2028

IS29GL128S-10DHB01-TR

bahagian bahagian: 7483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG7821AAT

bahagian bahagian: 2235

CY7C1321KV18-250BZXCT

bahagian bahagian: 3812

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY14B101NA-ZS45XIT

bahagian bahagian: 3854

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

MSP14LV320-E1-GH-001

bahagian bahagian: 893

IS29GL512S-11TFV02

bahagian bahagian: 7953

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S25FL128LAGBHB030

bahagian bahagian: 8520

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S70GL02GS12FHIV20

bahagian bahagian: 2803

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

CG8282AAT

bahagian bahagian: 17397

CG7902AA

bahagian bahagian: 1859

S25FL128LAGMFB003

bahagian bahagian: 8414

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CG8247AA

bahagian bahagian: 198

IS29GL256S-10DHB01-TR

bahagian bahagian: 7728

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8178AAT

bahagian bahagian: 2094

CG8371AAT

bahagian bahagian: 603

CG8275AA

bahagian bahagian: 10197

S30ML512P30TFI500

bahagian bahagian: 8364