Ingatan

CY7C1370KV33-167AXIT

bahagian bahagian: 3430

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

IS29GL256S-10TFV01-TR

bahagian bahagian: 7806

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1051H30-10BV1XET

bahagian bahagian: 3886

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

CG8256AAT

bahagian bahagian: 312

S70GL02GS12FHVV20

bahagian bahagian: 8327

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),

CG8405AAT

bahagian bahagian: 2128

S30ML02GP30TFI500L

bahagian bahagian: 1309

CG8213AA

bahagian bahagian: 79

IS29GL256S-10DHV01

bahagian bahagian: 7779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1313KV18-250BZXC

bahagian bahagian: 3397

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CG8199AA

bahagian bahagian: 9978

CY7C1380KV33-167AXCT

bahagian bahagian: 3579

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

S70GL0BGT00FHCR00

bahagian bahagian: 1403

S25FL128LAGBHB033

bahagian bahagian: 8392

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S29WS512P0SBFW0002

bahagian bahagian: 158

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 80MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S34ML08G101BHB000

bahagian bahagian: 2833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8404AAT

bahagian bahagian: 1823

CG8097AAT

bahagian bahagian: 2279

CG8717AA

bahagian bahagian: 11940

CG8213AAT

bahagian bahagian: 49

S25FL128P0XMFI003S

bahagian bahagian: 947

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3µs,

CG8247AAT

bahagian bahagian: 244

S99-50055-03

bahagian bahagian: 1393

IS29GL512S-11TFV01-TR

bahagian bahagian: 7946

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8318AA

bahagian bahagian: 2128

CY14B104NA-ZSP25XIT

bahagian bahagian: 3814

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY62167EV30LL-45ZXI

bahagian bahagian: 3986

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1370KV25-167AXCT

bahagian bahagian: 3390

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

IS29GL128S-10TFV01

bahagian bahagian: 777

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CG8244AAT

bahagian bahagian: 175

CG8333AM

bahagian bahagian: 465

CG7925AMT

bahagian bahagian: 598

CG8364AMT

bahagian bahagian: 568

CG7884AA

bahagian bahagian: 752

CG8014AAT

bahagian bahagian: 2104

MSP14LV160-E1-GJ-001

bahagian bahagian: 840