Ingatan

CG8308AAT

bahagian bahagian: 2002

CY62167GN30-45ZXI

bahagian bahagian: 4022

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CG8250AAT

bahagian bahagian: 2024

S30MS01GP25TFW500

bahagian bahagian: 8528

CG8245AAT

bahagian bahagian: 239

CG8402AA

bahagian bahagian: 2196

CY14B102NS-BA45XC

bahagian bahagian: 3594

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

IS29GL256S-10TFV02-TR

bahagian bahagian: 7773

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY62167G30-45BVXAT

bahagian bahagian: 3915

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY62167G30-45ZXA

bahagian bahagian: 4071

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S25FL128LAGMFI003

bahagian bahagian: 8436

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CG6740AT

bahagian bahagian: 2207

CG7859AAT

bahagian bahagian: 1766

CG8260AA

bahagian bahagian: 234

CG8333AMT

bahagian bahagian: 459

CG8534AA

bahagian bahagian: 2113

CG8096AA

bahagian bahagian: 2269

CY7C1319KV18-250BZC

bahagian bahagian: 122

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

S25FL128P0XNFI011M

bahagian bahagian: 983

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3µs,

CG8280AAT

bahagian bahagian: 47674

S30ML512P50TFI510

bahagian bahagian: 8486

IS29GL512S-11DHB01-TR

bahagian bahagian: 7804

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY14B104LA-BA25XIT

bahagian bahagian: 3782

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8248AA

bahagian bahagian: 200

CY14E256LA-SZ25XI

bahagian bahagian: 3582

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8016AM

bahagian bahagian: 793

CG8285AA

bahagian bahagian: 28787

CG7880AA

bahagian bahagian: 1585

CG8437AA

bahagian bahagian: 2234

FM1808B-SG

bahagian bahagian: 3636

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,

FM25V20A-DG

bahagian bahagian: 3795

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

S30MS01GP25TFW503

bahagian bahagian: 8495

CG8314AAT

bahagian bahagian: 1529

CY7C0241-15AXC

bahagian bahagian: 3774

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 72Kb (4K x 18), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S25FL128LAGMFB001

bahagian bahagian: 8566

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY14B104K-ZS45XIT

bahagian bahagian: 3504

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,