Ingatan

CY7C1354SV25-200AXC

bahagian bahagian: 7372

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

S25FL116K0XWEV009

bahagian bahagian: 4948

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY7C144E-25AXC

bahagian bahagian: 3762

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY14MB064J1-SXIT

bahagian bahagian: 4440

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

STK14D88-RF25

bahagian bahagian: 3665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1081DV33-12BAXI

bahagian bahagian: 2414

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

S29GL01GT12TFVV10

bahagian bahagian: 5094

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29GL01GT11TFV010

bahagian bahagian: 5024

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

STK12C68-WF45I

bahagian bahagian: 5901

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S25FL164K0XBHIS23

bahagian bahagian: 9465

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY14MB064J2-SXIT

bahagian bahagian: 3634

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

CY7C1011CV33-10BAJXET

bahagian bahagian: 8969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (128K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S34ML01G200BHI900

bahagian bahagian: 6584

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1356CV25-166AXC

bahagian bahagian: 5658

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C1415TV18-200BZI

bahagian bahagian: 7058

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

FM25V02-DG

bahagian bahagian: 709

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C131E-55JXC

bahagian bahagian: 5857

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S34ML04G100TFA000

bahagian bahagian: 4529

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1470BV25-200BZCT

bahagian bahagian: 5678

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY14B101Q1A-SXIT

bahagian bahagian: 4407

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C1462SV25-200AXCT

bahagian bahagian: 8258

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29PL032J70BAW120

bahagian bahagian: 904

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S25FL164K0XMFV003

bahagian bahagian: 4985

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY14ME064J2-SXI

bahagian bahagian: 1353

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

CY7C1513AV18-200BZI

bahagian bahagian: 5700

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY62256EV18LL-70SNXIT

bahagian bahagian: 31733

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY7C131E-55NXC

bahagian bahagian: 4317

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S25FL164K0XBHI033

bahagian bahagian: 7049

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY7C1380F-167BZIT

bahagian bahagian: 5672

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY62156ESL-45BVXI

bahagian bahagian: 7199

CY7C136AE-55JXI

bahagian bahagian: 5805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

FM25VN10-G

bahagian bahagian: 5635

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

STK14C88-3WF45

bahagian bahagian: 3666

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C21701KV18-400BZXC

bahagian bahagian: 7550

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

CY14B104L-ZS20XI

bahagian bahagian: 5468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

CY7C144E-15AXC

bahagian bahagian: 3763

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,