Ingatan

S25FL132K0XBHI030

bahagian bahagian: 408

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

QMP25FL216K0PMFI010

bahagian bahagian: 3145

S34ML04G200BHI003

bahagian bahagian: 754

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8414AA

bahagian bahagian: 7921

S34ML04G200TFI900

bahagian bahagian: 794

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1360C-200BGC

bahagian bahagian: 5767

S40410161B1B2W010

bahagian bahagian: 9784

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

S25FL064LABBHB023

bahagian bahagian: 5270

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz,

CG8120AA

bahagian bahagian: 7876

CG8317AA

bahagian bahagian: 7836

IS29GL512S-11DHV02-TR

bahagian bahagian: 5406

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29GL256N90TFAR10

bahagian bahagian: 4463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

S34ML08G201BHV003

bahagian bahagian: 4972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S70GL02GP11FFIR22

bahagian bahagian: 2711

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8, 128M x 16),

CY62157H30-45BVXAT

bahagian bahagian: 146

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

FM24V05-G

bahagian bahagian: 5441

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

CR231-80029

bahagian bahagian: 5498

S34ML08G201TFI003

bahagian bahagian: 847

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CG8071AA

bahagian bahagian: 5781

S99-50289

bahagian bahagian: 2711

S29PL127J70BAW000

bahagian bahagian: 7362

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

S99FL164KMM10

bahagian bahagian: 5184

S25FL129P0XMFV000M

bahagian bahagian: 7748

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S25FL132K0XNFIQ13

bahagian bahagian: 584

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S70FL01GSAGMFV010

bahagian bahagian: 4447

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S29WS128N0LBFW010

bahagian bahagian: 3180

S25FL132K0XNFI010

bahagian bahagian: 74728

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S26KS256SDGBHN030

bahagian bahagian: 5466

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S71KS512SC0BHV000

bahagian bahagian: 2279

S99PL127J0110

bahagian bahagian: 2652

S34ML04G104BHV010

bahagian bahagian: 4698

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S34MS04G100TFI000

bahagian bahagian: 6016

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S34ML02G200TFB003

bahagian bahagian: 11454

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C024E-25AXCT

bahagian bahagian: 3855

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (4K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S34ML01G200BHI003

bahagian bahagian: 2331

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C131E-55JXCT

bahagian bahagian: 3296

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,