Ingatan

CY7C1911KV18-250BZXC

CY7C1911KV18-250BZXC

bahagian bahagian: 8724

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (2M x 9), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
CY14MB064Q1A-SXIT

CY14MB064Q1A-SXIT

bahagian bahagian: 3609

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
CY7C1355C-133AXC

CY7C1355C-133AXC

bahagian bahagian: 5712

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S29GL01GS11TFA010

S29GL01GS11TFA010

bahagian bahagian: 130

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL208K0RMFI013

S25FL208K0RMFI013

bahagian bahagian: 8755

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 76MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
S34ML01G200BHA003

S34ML01G200BHA003

bahagian bahagian: 9563

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY62167GE30-45ZXIT

CY62167GE30-45ZXIT

bahagian bahagian: 5637

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY7C1361C-133AXI

CY7C1361C-133AXI

bahagian bahagian: 5728

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S34ML02G100TFA000

S34ML02G100TFA000

bahagian bahagian: 6326

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C144E-55JXC

CY7C144E-55JXC

bahagian bahagian: 3093

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
CY7C136E-55JXCT

CY7C136E-55JXCT

bahagian bahagian: 3348

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
STK15C88-NF25I

STK15C88-NF25I

bahagian bahagian: 3614

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C1470BV33-167BZCT

CY7C1470BV33-167BZCT

bahagian bahagian: 5636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
CY62167G18-55ZXIT

CY62167G18-55ZXIT

bahagian bahagian: 5616

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
STK12C68-WF25

STK12C68-WF25

bahagian bahagian: 5904

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C027-20AXI

CY7C027-20AXI

bahagian bahagian: 4012

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 512Kb (32K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
CY7C1570KV18-400BZXI

CY7C1570KV18-400BZXI

bahagian bahagian: 6710

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
CY14B104N-BA20XC

CY14B104N-BA20XC

bahagian bahagian: 5558

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
CY7C131E-25JXCT

CY7C131E-25JXCT

bahagian bahagian: 4355

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C2570KV18-450BZC

CY7C2570KV18-450BZC

bahagian bahagian: 6847

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 450MHz,

Senarai harapan
CY7C1441AV25-133BZXIT

CY7C1441AV25-133BZXIT

bahagian bahagian: 4474

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S25FL116K0XBHV030

S25FL116K0XBHV030

bahagian bahagian: 8505

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY7C1360C-166AXI

CY7C1360C-166AXI

bahagian bahagian: 5593

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
S25FL164K0XBHI023

S25FL164K0XBHI023

bahagian bahagian: 7011

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY7C144E-55JXCT

CY7C144E-55JXCT

bahagian bahagian: 3313

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
S26KL256SDABHM030

S26KL256SDABHM030

bahagian bahagian: 5618

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY14MB256J2-SXIT

CY14MB256J2-SXIT

bahagian bahagian: 3638

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

Senarai harapan
CY7C1363D-133AXI

CY7C1363D-133AXI

bahagian bahagian: 5681

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S25FL164K0XNFV010

S25FL164K0XNFV010

bahagian bahagian: 9687

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY14ME256J2-SXIT

CY14ME256J2-SXIT

bahagian bahagian: 4439

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

Senarai harapan
S25FL164K0XBHI020

S25FL164K0XBHI020

bahagian bahagian: 50920

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S25FL164K0XNFI010

S25FL164K0XNFI010

bahagian bahagian: 7064

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
CY7C144E-15AXI

CY7C144E-15AXI

bahagian bahagian: 5980

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
S34MS01G200BHI003

S34MS01G200BHI003

bahagian bahagian: 6606

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY7C1303TV25-167BZC

CY7C1303TV25-167BZC

bahagian bahagian: 7161

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
CY7C028AV-25AXCT

CY7C028AV-25AXCT

bahagian bahagian: 9100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan