Ingatan

S29GL01GS11DHV010

bahagian bahagian: 5176

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1382D-200AXC

bahagian bahagian: 9533

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29GL01GT10DHA020

bahagian bahagian: 6639

CY7C1021BNL-15ZXIT

bahagian bahagian: 27573

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY14E512Q1A-SXIT

bahagian bahagian: 6089

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 512Kb (64K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C1399B-12VXCT

bahagian bahagian: 9543

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

CY7C136-55NXC

bahagian bahagian: 9387

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C028-15AXC

bahagian bahagian: 4330

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S26KS256SDPBHI020

bahagian bahagian: 6491

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C09569V-83AXCT

bahagian bahagian: 1983

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 576Kb (16K x 36), Kekerapan Jam: 83MHz,

CY14ME064J1-SXIT

bahagian bahagian: 6157

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

S71KL512SC0BHV000

bahagian bahagian: 6532

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, DRAM, Saiz Ingatan: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C1019BN-12ZXC

bahagian bahagian: 9003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

CY7C038V-15AC

bahagian bahagian: 1882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 1.152Mb (64K x 18), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C1380D-167AXIT

bahagian bahagian: 9428

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

FM1608B-SG

bahagian bahagian: 6465

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,

S26KS256SDGBHI030

bahagian bahagian: 6540

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S29GL01GT10DHI010

bahagian bahagian: 5483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY62157ELL-45ZSXI

bahagian bahagian: 6246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S71KL512SC0BHB003

bahagian bahagian: 7569

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, DRAM, Saiz Ingatan: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C025-15AC

bahagian bahagian: 1782

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 128Kb (8K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

S34ML04G200TFI003

bahagian bahagian: 880

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

S29GL01GT10FHI010

bahagian bahagian: 5479

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1399B-15VC

bahagian bahagian: 1655

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C024AV-20AXC

bahagian bahagian: 4366

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (4K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

S29GL01GT10TFI020

bahagian bahagian: 5488

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S34MS04G204BHI010

bahagian bahagian: 6446

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1371D-100AXCT

bahagian bahagian: 9506

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

S29GL01GT11FHIV10

bahagian bahagian: 5519

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S29GL01GT10TFI010

bahagian bahagian: 5550

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY14E256Q1A-SXIT

bahagian bahagian: 6021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY62148BLL-70SXC

bahagian bahagian: 4290

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

CY7C09349AV-9AXC

bahagian bahagian: 8912

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 72Kb (4K x 18), Kekerapan Jam: 67MHz,

S34MS04G100TFI900

bahagian bahagian: 182

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY62157EV30LL-55ZXE

bahagian bahagian: 6281

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C1021CV33-10ZC

bahagian bahagian: 1962

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (64K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,