Ingatan

S26KS512SDPBHA020

S26KS512SDPBHA020

bahagian bahagian: 5115

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
CY7C1514V18-167BZC

CY7C1514V18-167BZC

bahagian bahagian: 4016

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
STK14C88-NF35I

STK14C88-NF35I

bahagian bahagian: 5726

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
S26KS512SDGBHA030

S26KS512SDGBHA030

bahagian bahagian: 4341

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CY14B101L-SP35XIT

CY14B101L-SP35XIT

bahagian bahagian: 1123

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
STK11C68-SF35ITR

STK11C68-SF35ITR

bahagian bahagian: 5570

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
CY62147DV30L-55ZSXE

CY62147DV30L-55ZSXE

bahagian bahagian: 3368

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
S26KS512SDABHA030

S26KS512SDABHA030

bahagian bahagian: 4761

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY7C1515AV18-200BZXI

CY7C1515AV18-200BZXI

bahagian bahagian: 4482

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
CY62168GE30-45BVXIT

CY62168GE30-45BVXIT

bahagian bahagian: 5773

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
S70FL01GSAGMFI011

S70FL01GSAGMFI011

bahagian bahagian: 4744

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
STK12C68-SF25TR

STK12C68-SF25TR

bahagian bahagian: 5599

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
STK22C48-SF25ITR

STK22C48-SF25ITR

bahagian bahagian: 5888

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C1320BV18-250BZI

CY7C1320BV18-250BZI

bahagian bahagian: 3669

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
S71KL512SC0BHB000

S71KL512SC0BHB000

bahagian bahagian: 6936

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH, DRAM, Saiz Ingatan: 512Mbit Flash, 64Mbit RAM, Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY62167GE30-45BV1XIT

CY62167GE30-45BV1XIT

bahagian bahagian: 5789

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY62147EV30LL-55ZSXE

CY62147EV30LL-55ZSXE

bahagian bahagian: 3379

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
CY7C1460AV33-250AXI

CY7C1460AV33-250AXI

bahagian bahagian: 4426

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
S34ML08G201TFI000

S34ML08G201TFI000

bahagian bahagian: 4292

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY62167G-45BVXIT

CY62167G-45BVXIT

bahagian bahagian: 5839

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY14B256L-SZ35XIT

CY14B256L-SZ35XIT

bahagian bahagian: 1251

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
CY14E256L-SZ25XC

CY14E256L-SZ25XC

bahagian bahagian: 4497

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C192-15VXC

CY7C192-15VXC

bahagian bahagian: 4157

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 256Kb (64K x 4), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
CY7C1312BV18-200BZI

CY7C1312BV18-200BZI

bahagian bahagian: 2390

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
CY7C1352G-133AXI

CY7C1352G-133AXI

bahagian bahagian: 2389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4.5Mb (256K x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
FM18W08-SGTR

FM18W08-SGTR

bahagian bahagian: 5812

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,

Senarai harapan
S70FL01GSAGMFI010

S70FL01GSAGMFI010

bahagian bahagian: 4753

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CY62138FLL-45ZSXI

CY62138FLL-45ZSXI

bahagian bahagian: 2142

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY62168G30-45BVXIT

CY62168G30-45BVXIT

bahagian bahagian: 5751

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
CY62128BNLL-70ZXA

CY62128BNLL-70ZXA

bahagian bahagian: 3320

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S26KS256SDGBHB030

S26KS256SDGBHB030

bahagian bahagian: 6455

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S26KS256SDPBHB020

S26KS256SDPBHB020

bahagian bahagian: 6498

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
CY7C1354C-200AXI

CY7C1354C-200AXI

bahagian bahagian: 6186

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
S26KS512SDABHI030

S26KS512SDABHI030

bahagian bahagian: 2089

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY7C1512AV18-200BZC

CY7C1512AV18-200BZC

bahagian bahagian: 4022

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
CY7C1355C-100BGCT

CY7C1355C-100BGCT

bahagian bahagian: 3737

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan