Ingatan

STK15C88-NF25ITR

bahagian bahagian: 5808

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY62157ESL-45ZSXI

bahagian bahagian: 5898

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1270V18-375BZXC

bahagian bahagian: 5531

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 375MHz,

CY7C1270V18-375BZC

bahagian bahagian: 3462

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 375MHz,

CY7C1412BV18-200BZC

bahagian bahagian: 3881

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

STK12C68-SF45I

bahagian bahagian: 5645

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C128A-20VXCT

bahagian bahagian: 3497

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

S29WS256P0LBFW000

bahagian bahagian: 1302

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 54MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1320JV18-300BZXC

bahagian bahagian: 5127

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1356C-166AXIT

bahagian bahagian: 6032

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY14E256L-SZ45XI

bahagian bahagian: 1197

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S70FS01GSAGMFV011

bahagian bahagian: 4798

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

FM25V10-G

bahagian bahagian: 5762

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C1413AV18-250BZC

bahagian bahagian: 3765

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1518V18-200BZC

bahagian bahagian: 4111

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

CYDM256B16-55BVXIT

bahagian bahagian: 9052

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, MoBL, Saiz Ingatan: 256Kb (16K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S26KS128SDGBHM030

bahagian bahagian: 5949

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1062AV33-10BGCT

bahagian bahagian: 3453

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S70FL01GSAGMFV011

bahagian bahagian: 4835

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S29GL01GT11DHB013

bahagian bahagian: 131

CY7C1312CV18-167BZI

bahagian bahagian: 3508

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

CY14B101L-SZ35XCT

bahagian bahagian: 1140

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

S29GL01GT11FHB023

bahagian bahagian: 9160

CY7C1361C-133AJXC

bahagian bahagian: 5860

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

FM24V10-G

bahagian bahagian: 5787

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

CY7C1041CV33-12BAXET

bahagian bahagian: 2352

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

CYD18S72V18-200BGXI

bahagian bahagian: 4548

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (256K x 72), Kekerapan Jam: 200MHz,

S29GL01GT11TFB023

bahagian bahagian: 155

CY7C1568V18-375BZXC

bahagian bahagian: 5545

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 375MHz,

S29WS128P0PBFW000

bahagian bahagian: 4665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 66MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C1463AV33-133AXI

bahagian bahagian: 5589

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1512AV18-250BZC

bahagian bahagian: 3932

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

CYDC128B08-55AXI

bahagian bahagian: 4213

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, MoBL, Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C1361KVE33-133AXI

bahagian bahagian: 5816

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

STK15C88-NF45ITR

bahagian bahagian: 2665

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C1355C-133BGCT

bahagian bahagian: 3693

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,