Ingatan

S25FL032P0XNFI000

S25FL032P0XNFI000

bahagian bahagian: 9795

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S25FL129P0XMFI003

S25FL129P0XMFI003

bahagian bahagian: 9999

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY14V101QS-BK108XQ

CY14V101QS-BK108XQ

bahagian bahagian: 6476

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 108MHz,

Senarai harapan
FM24V02-GTR

FM24V02-GTR

bahagian bahagian: 8813

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

Senarai harapan
S25FS512SAGNFB010

S25FS512SAGNFB010

bahagian bahagian: 8269

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CY14E256Q1A-SXI

CY14E256Q1A-SXI

bahagian bahagian: 229

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
CY14E256Q2A-SXI

CY14E256Q2A-SXI

bahagian bahagian: 1436

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S26KL256SDABHN030

S26KL256SDABHN030

bahagian bahagian: 6631

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
FM25V20-DG

FM25V20-DG

bahagian bahagian: 9960

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S29GL01GP11TFIR10

S29GL01GP11TFIR10

bahagian bahagian: 292

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
FM23MLD16-60-BG

FM23MLD16-60-BG

bahagian bahagian: 8984

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 115ns,

Senarai harapan
S34ML04G100TFB003

S34ML04G100TFB003

bahagian bahagian: 4014

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S70FS01GSDSBHB210

S70FS01GSDSBHB210

bahagian bahagian: 5225

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,

Senarai harapan
S25FL129P0XNFI013

S25FL129P0XNFI013

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S29PL064J70BFI120

S29PL064J70BFI120

bahagian bahagian: 9318

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S34ML04G100TFI003

S34ML04G100TFI003

bahagian bahagian: 673

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29PL032J70BAI122

S29PL032J70BAI122

bahagian bahagian: 500

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29GL01GT12DHN020

S29GL01GT12DHN020

bahagian bahagian: 5797

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL512P10TFIR10

S29GL512P10TFIR10

bahagian bahagian: 384

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
FM25V20-GTR

FM25V20-GTR

bahagian bahagian: 8991

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
FM25V20-PG

FM25V20-PG

bahagian bahagian: 9035

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S25FL129P0XMFI001

S25FL129P0XMFI001

bahagian bahagian: 13260

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY7C1264XV18-366BZXC

CY7C1264XV18-366BZXC

bahagian bahagian: 6839

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 366MHz,

Senarai harapan
CY7C1350G-133BGXC

CY7C1350G-133BGXC

bahagian bahagian: 9170

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4.5Mb (128K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S25FL216K0PMFI011

S25FL216K0PMFI011

bahagian bahagian: 281

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 65MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
CY7C1570XV18-600BZXC

CY7C1570XV18-600BZXC

bahagian bahagian: 7003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 600MHz,

Senarai harapan
S25FL032P0XMFI011

S25FL032P0XMFI011

bahagian bahagian: 29519

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S34ML04G100BHA003

S34ML04G100BHA003

bahagian bahagian: 1810

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29GL512P11TFI020

S29GL512P11TFI020

bahagian bahagian: 431

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
S29GL256N11FFA010

S29GL256N11FFA010

bahagian bahagian: 5099

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY62157EV30LL-45ZXA

CY62157EV30LL-45ZXA

bahagian bahagian: 6385

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Mb (512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
FM25V20-G

FM25V20-G

bahagian bahagian: 8696

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
CY7C1360C-166BZC

CY7C1360C-166BZC

bahagian bahagian: 5243

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
S29PL032J70BAI120

S29PL032J70BAI120

bahagian bahagian: 421

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29GL01GS11TFV010

S29GL01GS11TFV010

bahagian bahagian: 5420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan