Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,
Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 366MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz,
Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,
Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 15MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,
Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 600MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,
Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 600MHz,
Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,