Ingatan

S29GL512P10FFIR10

S29GL512P10FFIR10

bahagian bahagian: 384

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

Senarai harapan
FM25V01-GTR

FM25V01-GTR

bahagian bahagian: 8919

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 128Kb (16K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S29GL01GS11TFV020

S29GL01GS11TFV020

bahagian bahagian: 5420

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY7C1564XV18-366BZC

CY7C1564XV18-366BZC

bahagian bahagian: 6991

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 366MHz,

Senarai harapan
FM24CL64B-GA

FM24CL64B-GA

bahagian bahagian: 19312

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 1MHz,

Senarai harapan
CY62167GN18-55BVXIT

CY62167GN18-55BVXIT

bahagian bahagian: 6587

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8, 1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
S25FL032P0XBHI020

S25FL032P0XBHI020

bahagian bahagian: 9691

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S25FL204K0TMFI011

S25FL204K0TMFI011

bahagian bahagian: 93

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
FM25L04B-GATR

FM25L04B-GATR

bahagian bahagian: 46180

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz,

Senarai harapan
S25FL064P0XMFI001

S25FL064P0XMFI001

bahagian bahagian: 9864

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S26KL512SDABHV020

S26KL512SDABHV020

bahagian bahagian: 5652

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
S29GL01GP11TFIR20

S29GL01GP11TFIR20

bahagian bahagian: 330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY7C1360C-166AXCT

CY7C1360C-166AXCT

bahagian bahagian: 6661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
FM25C160B-GATR

FM25C160B-GATR

bahagian bahagian: 43310

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Kekerapan Jam: 15MHz,

Senarai harapan
S29WS064RABBHI000

S29WS064RABBHI000

bahagian bahagian: 653

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S25FL204K0TMFI041

S25FL204K0TMFI041

bahagian bahagian: 192

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHIZ10

S25FL129P0XBHIZ10

bahagian bahagian: 10021

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY14MB064Q2B-SXI

CY14MB064Q2B-SXI

bahagian bahagian: 707

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S26KS256SDGBHV030

S26KS256SDGBHV030

bahagian bahagian: 6118

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
S25FL128P0XNFI001

S25FL128P0XNFI001

bahagian bahagian: 13970

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29PL064J70BFW122

S29PL064J70BFW122

bahagian bahagian: 648

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29PL127J70BAI000

S29PL127J70BAI000

bahagian bahagian: 5902

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
S29GL01GS11DHI010

S29GL01GS11DHI010

bahagian bahagian: 7045

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL512P11FFI020

S29GL512P11FFI020

bahagian bahagian: 428

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY14B256KA-SP25XIT

CY14B256KA-SP25XIT

bahagian bahagian: 6444

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S25FL204K0TMFI010

S25FL204K0TMFI010

bahagian bahagian: 54

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

Senarai harapan
CY7C1263XV18-600BZXC

CY7C1263XV18-600BZXC

bahagian bahagian: 6876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 600MHz,

Senarai harapan
FM25L04B-GA

FM25L04B-GA

bahagian bahagian: 33075

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 4Kb (512 x 8), Kekerapan Jam: 10MHz,

Senarai harapan
S29GL01GP11FFIR20

S29GL01GP11FFIR20

bahagian bahagian: 252

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

Senarai harapan
CY14ME064J1A-SXI

CY14ME064J1A-SXI

bahagian bahagian: 709

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

Senarai harapan
CY7C1265XV18-600BZXC

CY7C1265XV18-600BZXC

bahagian bahagian: 6936

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 600MHz,

Senarai harapan
S25FL032P0XBHIS30

S25FL032P0XBHIS30

bahagian bahagian: 9744

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S29GL01GS10TFI010

S29GL01GS10TFI010

bahagian bahagian: 5357

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
S29GL01GP13FFIV20

S29GL01GP13FFIV20

bahagian bahagian: 319

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 130ns,

Senarai harapan