Ingatan

MT28F800B5SG-8 BET

MT28F800B5SG-8 BET

bahagian bahagian: 4108

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V128M8TG-6T:A TR

MT46V128M8TG-6T:A TR

bahagian bahagian: 5554

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H32M8BP-5E:B

MT47H32M8BP-5E:B

bahagian bahagian: 8635

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

MT29E1T08CUCCBH8-6:C TR

bahagian bahagian: 479

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR

MT45W4MW16BFB-708 WT F TR

bahagian bahagian: 4973

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48H8M32LFF5-8

MT48H8M32LFF5-8

bahagian bahagian: 9397

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W2MW16BAFB-708 WT

MT45W2MW16BAFB-708 WT

bahagian bahagian: 4648

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT47H64M8CB-37E:B TR

MT47H64M8CB-37E:B TR

bahagian bahagian: 8662

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-75 L:C TR

MT46V32M16FN-75 L:C TR

bahagian bahagian: 6574

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F008B5VG-8 T TR

MT28F008B5VG-8 T TR

bahagian bahagian: 2291

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC2M32B2P-5:G

MT48LC2M32B2P-5:G

bahagian bahagian: 1180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT46V32M16P-75 L:C TR

MT46V32M16P-75 L:C TR

bahagian bahagian: 6718

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VP-8 T TR

MT28F004B5VP-8 T TR

bahagian bahagian: 1935

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V16M16P-6T:F

MT46V16M16P-6T:F

bahagian bahagian: 5678

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-708 L WT

MT45W4MW16BFB-708 L WT

bahagian bahagian: 4955

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT28F800B5WP-8 B

MT28F800B5WP-8 B

bahagian bahagian: 3450

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR

MT53D1024M64D8PM-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 74

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR

MT48V4M32LFF5-8 IT:G TR

bahagian bahagian: 3184

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H32M8BP-37V:B

MT47H32M8BP-37V:B

bahagian bahagian: 8503

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8TG-75 IT:D

MT46V64M8TG-75 IT:D

bahagian bahagian: 8180

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32LFF5-10:G

MT48LC4M32LFF5-10:G

bahagian bahagian: 1262

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M32LFF5-10 IT

MT48V8M32LFF5-10 IT

bahagian bahagian: 4451

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H64M8CB-5E:B TR

MT47H64M8CB-5E:B TR

bahagian bahagian: 8694

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W1MW16PAFA-70 WT TR

MT45W1MW16PAFA-70 WT TR

bahagian bahagian: 3507

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16PFA-70 IT TR

MT45W4MW16PFA-70 IT TR

bahagian bahagian: 5103

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2F5-10 IT

MT48H16M32L2F5-10 IT

bahagian bahagian: 8901

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFF4-75 IT:G

MT48LC8M16LFF4-75 IT:G

bahagian bahagian: 1981

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3BS-115 GMET TR

MT28F640J3BS-115 GMET TR

bahagian bahagian: 3330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-708 L WT TR

MT45W4MW16BFB-708 L WT TR

bahagian bahagian: 4895

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48H4M16LFF4-10 TR

MT48H4M16LFF4-10 TR

bahagian bahagian: 9171

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3BS-115 MET

MT28F640J3BS-115 MET

bahagian bahagian: 3377

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT45W2MW16PAFA-70 IT

MT45W2MW16PAFA-70 IT

bahagian bahagian: 4709

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2B5-8

MT48H16M32L2B5-8

bahagian bahagian: 8824

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz,

Senarai harapan
MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR

MT48LC2M32B2P-6 IT:G TR

bahagian bahagian: 10059

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFF4-8 XT:G

MT48LC8M16LFF4-8 XT:G

bahagian bahagian: 4276

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFB4-8:G

MT48V8M16LFB4-8:G

bahagian bahagian: 512

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan