Ingatan

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

MT48LC8M16LFTG-75:G TR

bahagian bahagian: 2156

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M8TG-75 IT:G

MT46V32M8TG-75 IT:G

bahagian bahagian: 7282

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F320J3BS-11 MET

MT28F320J3BS-11 MET

bahagian bahagian: 2502

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT47H64M4BP-37E:B

MT47H64M4BP-37E:B

bahagian bahagian: 8679

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-75 L:C

MT46V32M16P-75 L:C

bahagian bahagian: 6700

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2P-6A:D

MT48LC32M8A2P-6A:D

bahagian bahagian: 299

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFB5-10 IT:G

MT48V4M32LFB5-10 IT:G

bahagian bahagian: 2953

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

MT45W4MW16BFB-706 L WT TR

bahagian bahagian: 4830

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

MT45W4MW16BBB-706 L WT TR

bahagian bahagian: 3545

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-5B:C

MT46V32M16P-5B:C

bahagian bahagian: 6597

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

MT48LC8M32B2TG-7 IT TR

bahagian bahagian: 2361

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V32M8FG-6 L:G

MT46V32M8FG-6 L:G

bahagian bahagian: 3739

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B TR

bahagian bahagian: 239

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT28F800B3WG-9 B TR

MT28F800B3WG-9 B TR

bahagian bahagian: 3975

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
MT48LC2M32B2TG-5:G

MT48LC2M32B2TG-5:G

bahagian bahagian: 10064

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 200MHz,

Senarai harapan
MT48H4M16LFB4-8 IT

MT48H4M16LFB4-8 IT

bahagian bahagian: 9090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M16TG-6T:A TR

MT46V64M16TG-6T:A TR

bahagian bahagian: 7546

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16A2TG-75:G

MT48LC8M16A2TG-75:G

bahagian bahagian: 1704

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16PBA-70 WT

MT45W4MW16PBA-70 WT

bahagian bahagian: 5020

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

MT48LC32M8A2BB-75 IT:D

bahagian bahagian: 4016

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC16M8A2FB-7E:G

MT48LC16M8A2FB-7E:G

bahagian bahagian: 9717

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B

bahagian bahagian: 105

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT28F640J3BS-115 GMET

MT28F640J3BS-115 GMET

bahagian bahagian: 3310

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT48LC8M32LFF5-8 IT

MT48LC8M32LFF5-8 IT

bahagian bahagian: 4339

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V128M4P-6T:D TR

MT46V128M4P-6T:D TR

bahagian bahagian: 5473

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16A2P-7E IT:G

MT48LC8M16A2P-7E IT:G

bahagian bahagian: 1645

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G TR

bahagian bahagian: 67

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-708 WT F

MT45W4MW16BFB-708 WT F

bahagian bahagian: 4996

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VG-8 B

MT28F004B5VG-8 B

bahagian bahagian: 1723

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F008B5VG-8 B

MT28F008B5VG-8 B

bahagian bahagian: 2068

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48V8M32LFB5-10

MT48V8M32LFB5-10

bahagian bahagian: 4403

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
M29W640FB70ZA6E

M29W640FB70ZA6E

bahagian bahagian: 8508

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT28F400B3SG-8 TET TR

MT28F400B3SG-8 TET TR

bahagian bahagian: 2833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F400B5WP-8 T

MT28F400B5WP-8 T

bahagian bahagian: 3319

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFB4-8:G TR

MT48LC8M16LFB4-8:G TR

bahagian bahagian: 1926

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFB4-10:G

MT48LC8M16LFB4-10:G

bahagian bahagian: 1868

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan