Ingatan

MT48LC64M4A2P-7E:D TR

bahagian bahagian: 1364

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT46V32M4TG-75:D TR

bahagian bahagian: 7108

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8P-75 IT:D

bahagian bahagian: 8079

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC16M16A2BG-75:D

bahagian bahagian: 9478

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F800B5WG-8 TET TR

bahagian bahagian: 4372

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT28F400B3SG-8 T

bahagian bahagian: 2749

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT46V128M8TG-75:A

bahagian bahagian: 5573

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V16M16TG-75 IT:F TR

bahagian bahagian: 5767

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F128J3BS-12 MET TR

bahagian bahagian: 2330

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MTFC128GAJAECE-AAT

bahagian bahagian: 42

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT46V32M16TG-75 IT:C

bahagian bahagian: 6902

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT52L1G64D8QC-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 78

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT28F004B5VG-8 B TR

bahagian bahagian: 3247

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT48LC2M32B2TG-6 IT:G

bahagian bahagian: 4037

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT28F400B5WP-8 T TR

bahagian bahagian: 3270

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT46V32M16FN-75:C TR

bahagian bahagian: 6661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT47H16M16BG-5E:B

bahagian bahagian: 8289

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT47H32M16BN-3:D TR

bahagian bahagian: 9084

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F008B3VP-9 B TR

bahagian bahagian: 3236

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

MTFC256GAOAMAM-WT

bahagian bahagian: 96

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

MT48LC8M16LFF4-10:G

bahagian bahagian: 2070

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48V8M32LFF5-10 TR

bahagian bahagian: 3785

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29E1T08CUCCBH8-6:C

bahagian bahagian: 63

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT46V64M4FG-75:G

bahagian bahagian: 7559

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC16M16A2P-6A:D

bahagian bahagian: 9591

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT28F128J3BS-12 ET TR

bahagian bahagian: 2262

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT48LC8M16A2P-7E IT:G TR

bahagian bahagian: 4167

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT47H64M8CB-37E:B

bahagian bahagian: 8667

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H16M32L2B5-8 IT TR

bahagian bahagian: 8843

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz,

MT45W4MW16BFB-856 WT F

bahagian bahagian: 360

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR

bahagian bahagian: 631

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT28F640J3RP-115 MET

bahagian bahagian: 3833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT48LC8M32B2B5-7 IT TR

bahagian bahagian: 2198

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT46V32M16TG-75E:C TR

bahagian bahagian: 1082

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V32M16FN-75 IT:C TR

bahagian bahagian: 6520

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT53E2G32D8QD-053 WT:E

bahagian bahagian: 88