Ingatan

MT48H4M16LFB4-10 TR

MT48H4M16LFB4-10 TR

bahagian bahagian: 9057

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFF5-10 IT:G

MT48V4M32LFF5-10 IT:G

bahagian bahagian: 3129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

MT48LC8M32LFF5-8 IT TR

bahagian bahagian: 2566

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B5WP-8 BET

MT28F800B5WP-8 BET

bahagian bahagian: 4408

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-5B:C TR

MT46V32M16FN-5B:C TR

bahagian bahagian: 6138

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M16A2P-6:G

MT48LC4M16A2P-6:G

bahagian bahagian: 728

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2F5-8

MT48H16M32L2F5-8

bahagian bahagian: 8967

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz,

Senarai harapan
MT46V64M8BN-6:D TR

MT46V64M8BN-6:D TR

bahagian bahagian: 7703

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V16M16P-75:F

MT46V16M16P-75:F

bahagian bahagian: 5745

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16BN-5B:C TR

MT46V32M16BN-5B:C TR

bahagian bahagian: 6084

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16BN-75:C TR

MT46V32M16BN-75:C TR

bahagian bahagian: 6129

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC64M4A2P-75:D

MT48LC64M4A2P-75:D

bahagian bahagian: 1315

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2F5-8 IT

MT48H16M32L2F5-8 IT

bahagian bahagian: 8947

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-6T:C

MT46V32M16TG-6T:C

bahagian bahagian: 6764

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFB4-8 IT:G

MT48V8M16LFB4-8 IT:G

bahagian bahagian: 3330

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B3SG-8 B

MT28F400B3SG-8 B

bahagian bahagian: 2727

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48H8M32LFF5-10 TR

MT48H8M32LFF5-10 TR

bahagian bahagian: 9324

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFB5-10:G TR

MT48V4M32LFB5-10:G TR

bahagian bahagian: 4317

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M8TG-75 L:G

MT46V32M8TG-75 L:G

bahagian bahagian: 7270

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B5WP-8 BET TR

MT28F800B5WP-8 BET TR

bahagian bahagian: 4378

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

MT48LC8M8A2P-7E L:G TR

bahagian bahagian: 2815

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT48H8M32LFF5-8 TR

MT48H8M32LFF5-8 TR

bahagian bahagian: 9389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32LFB5-10 IT

MT48LC8M32LFB5-10 IT

bahagian bahagian: 2420

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M8TG-75:G

MT46V32M8TG-75:G

bahagian bahagian: 7336

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
NAND256W3A2BN6E

NAND256W3A2BN6E

bahagian bahagian: 577

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-75:C

MT46V32M16FN-75:C

bahagian bahagian: 6621

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFB4-8 XT:G

MT48V8M16LFB4-8 XT:G

bahagian bahagian: 3401

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16BN-75:C

MT46V32M16BN-75:C

bahagian bahagian: 6087

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC2M32B2TG-55:G

MT48LC2M32B2TG-55:G

bahagian bahagian: 10052

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (2M x 32), Kekerapan Jam: 183MHz,

Senarai harapan
MT48LC8M32B2F5-7 TR

MT48LC8M32B2F5-7 TR

bahagian bahagian: 2262

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2P-7E L:D

MT48LC16M16A2P-7E L:D

bahagian bahagian: 4036

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V16M16TG-75 L:F TR

MT46V16M16TG-75 L:F TR

bahagian bahagian: 5902

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8P-6T:D TR

MT46V64M8P-6T:D TR

bahagian bahagian: 7998

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B5WP-8 TET TR

MT28F400B5WP-8 TET TR

bahagian bahagian: 3266

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT29F8G08FACWP:C TR

MT29F8G08FACWP:C TR

bahagian bahagian: 493

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

Senarai harapan
MT48LC16M8A2TG-7E:G TR

MT48LC16M8A2TG-7E:G TR

bahagian bahagian: 9895

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan