Ingatan

MT28F640J3BS-115 MET TR

bahagian bahagian: 3426

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

M29W640FT70ZA6E

bahagian bahagian: 8515

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT28HL64GRBB6EBL-0GCT

bahagian bahagian: 450

MT52L1G64D8QC-107 WT:B

bahagian bahagian: 48

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT46V32M16BN-75 L:C TR

bahagian bahagian: 3611

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC128M4A2TG-7E:C

bahagian bahagian: 464

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8BN-75 L:D TR

bahagian bahagian: 7870

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F128J3RP-12 MET TR

bahagian bahagian: 2411

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT28F800B5WG-8 B

bahagian bahagian: 4176

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT48V4M32LFB5-8 XT:G TR

bahagian bahagian: 3003

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F800B5WG-8 T TR

bahagian bahagian: 4303

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT28F640J3BS-115 ET

bahagian bahagian: 3345

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MT46V32M16BN-75 IT:C TR

bahagian bahagian: 6084

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F800B3WP-9 B

bahagian bahagian: 4075

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

MT46V128M4P-75:D

bahagian bahagian: 5490

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V128M4TG-75:D TR

bahagian bahagian: 5514

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F4T08EUHAFM4-3T:A

bahagian bahagian: 92

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Tb (512G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT46V32M16TG-75:C

bahagian bahagian: 6980

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC32M8A2BB-75:D

bahagian bahagian: 291

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H8M16LFB4-10

bahagian bahagian: 9192

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F008B5VG-8 TET TR

bahagian bahagian: 3240

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT46V32M8FG-75 L:G

bahagian bahagian: 7256

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MTA9ASF1G72PZ-2G9E1

bahagian bahagian: 119

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 72Gb (1G x 72), Kekerapan Jam: 1467MHz,

MT28F320J3BS-11 GMET

bahagian bahagian: 2463

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT48H8M16LFF4-10

bahagian bahagian: 9185

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V16M16TG-75 L:F

bahagian bahagian: 5838

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC16M16A2BG-75 IT:D

bahagian bahagian: 9479

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V32M8FG-75:G TR

bahagian bahagian: 7301

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V32M8TG-75 L:G TR

bahagian bahagian: 7324

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H8M32LFB5-10 IT

bahagian bahagian: 9249

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC16M8A2P-7E:G

bahagian bahagian: 9902

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT48LC8M16LFB4-8 IT:G

bahagian bahagian: 1915

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V128M4BN-6:D

bahagian bahagian: 5257

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8P-75Z:D

bahagian bahagian: 8109

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V32M16FN-75 L:C

bahagian bahagian: 6611

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F800B5WG-8 BET

bahagian bahagian: 4346

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,