Ingatan

CY7C1463BV33-133AXI

bahagian bahagian: 3878

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1515JV18-167BZI

bahagian bahagian: 6155

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

S25FL204K0TMFI043

bahagian bahagian: 8981

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

CY7C1413UV18-300BZC

bahagian bahagian: 7278

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C136AE-55NXI

bahagian bahagian: 3318

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

STK16C88-3WF35I

bahagian bahagian: 5964

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

S25FL116K0XBHI033

bahagian bahagian: 8001

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY7C10612G30-10ZSXIT

bahagian bahagian: 5666

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

S25FL129P0XMFI013

bahagian bahagian: 9476

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

S25FL116K0XNFI011

bahagian bahagian: 8785

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S34MS04G100TFI003

bahagian bahagian: 6661

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S25FL116K0XBHI023

bahagian bahagian: 7937

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

S34ML08G101TFI003

bahagian bahagian: 5473

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1513TV18-250BZC

bahagian bahagian: 7281

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

S25FL164K0XBHV023

bahagian bahagian: 9511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY15B102Q-SXET

bahagian bahagian: 5721

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 25MHz,

CY7C136E-55NXC

bahagian bahagian: 3254

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C1911KV18-300BZCT

bahagian bahagian: 2974

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (2M x 9), Kekerapan Jam: 300MHz,

S25FL204K0TMFI013

bahagian bahagian: 8713

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 85MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5ms,

STK12C68-5L35M

bahagian bahagian: 5833

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

CY7C1338S-100AXC

bahagian bahagian: 3742

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (128K x 32), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C1354C-200AXC

bahagian bahagian: 5604

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY14B101Q2-LHXI

bahagian bahagian: 5719

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C136E-55NXCT

bahagian bahagian: 4411

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY14MB064J1A-SXIT

bahagian bahagian: 2136

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

S40410161B1B1I010

bahagian bahagian: 5059

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C12501KV18-450BZXC

bahagian bahagian: 8162

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 450MHz,

S29PL127J60BAW002

bahagian bahagian: 5043

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C2565KV18-500BZC

bahagian bahagian: 6769

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 500MHz,

S29GL01GS10TFA010

bahagian bahagian: 459

S34MS04G100BHB000

bahagian bahagian: 5006

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

S34ML04G200BHB000

bahagian bahagian: 5762

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1366C-166AXC

bahagian bahagian: 5664

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C1049BNL-17VC

bahagian bahagian: 2494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 17ns,

CY7C1520LV18-250BZC

bahagian bahagian: 9234

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1518TV18-250BZC

bahagian bahagian: 7150

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,