Ingatan

CY7C0241E-15AXCT

bahagian bahagian: 8163

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 72Kb (4K x 18), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY7C136E-55JXC

bahagian bahagian: 3160

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY7C1363C-133AJXC

bahagian bahagian: 5663

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (512K x 18), Kekerapan Jam: 133MHz,

S25FL032P0XMFI003

bahagian bahagian: 9173

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

CY7C144E-15AXIT

bahagian bahagian: 3944

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

CY14B256Q2A-SXIT

bahagian bahagian: 3732

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

CY7C1513KV18-300BZI

bahagian bahagian: 3707

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

CY7C1380S-167BZCT

bahagian bahagian: 9068

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

S29GL512P10TFCR10

bahagian bahagian: 923

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

S70FL01GSDSBHMC13

bahagian bahagian: 8793

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,

S25FL132K0XMFI041

bahagian bahagian: 9464

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY7C11681KV18-450BZXC

bahagian bahagian: 7553

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 450MHz,

S25FL116K0XMFI011

bahagian bahagian: 6937

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

CY62167GN30-45ZXIT

bahagian bahagian: 5704

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

CY7C136E-25JXCT

bahagian bahagian: 4402

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1354C-166AXC

bahagian bahagian: 5682

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C1568KV18-500BZC

bahagian bahagian: 3734

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II+, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 500MHz,

CY7C1440AV25-250BZXIT

bahagian bahagian: 4031

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 250MHz,

CY7C1462SV25-200AXC

bahagian bahagian: 7246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C131E-25NXC

bahagian bahagian: 3240

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

CY7C1470BV33-200BZC

bahagian bahagian: 3619

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 200MHz,

CY7C131E-55JXIT

bahagian bahagian: 3388

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

S34ML04G100BHA000

bahagian bahagian: 4340

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

IS26KL512S-DABLA300

bahagian bahagian: 4597

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

CY7C1414SV18-167BZC

bahagian bahagian: 7221

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

S29GL01GT12TFVV20

bahagian bahagian: 5071

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

CY7C13201KV18-300BZXC

bahagian bahagian: 7566

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 18Mb (512K x 36), Kekerapan Jam: 300MHz,

S29GL01GS10TFA020

bahagian bahagian: 183

S70FL01GSAGBHAC10

bahagian bahagian: 4764

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

S29GL01GT11TFV020

bahagian bahagian: 5110

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

S70FL01GSAGBHMC13

bahagian bahagian: 8900

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

CY7C1347S-166BGC

bahagian bahagian: 7250

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4.5Mb (128K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

CY7C131E-55NXCT

bahagian bahagian: 3510

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

CY14B256Q1A-SXIT

bahagian bahagian: 3742

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

S71KS512SC0BHB003

bahagian bahagian: 1307

S79FL01GSDSBHVC10

bahagian bahagian: 462

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,