Ingatan

S26KL512SDABHN020

S26KL512SDABHN020

bahagian bahagian: 4187

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY14V101QS-SE108XI

CY14V101QS-SE108XI

bahagian bahagian: 5659

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 108MHz,

Senarai harapan
CY14MB064Q2A-SXIT

CY14MB064Q2A-SXIT

bahagian bahagian: 3698

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S25FL129P0XBHI203

S25FL129P0XBHI203

bahagian bahagian: 9343

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
S29GL01GT12DHVV10

S29GL01GT12DHVV10

bahagian bahagian: 5096

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY7C1425UV18-267BZI

CY7C1425UV18-267BZI

bahagian bahagian: 7090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (4M x 9), Kekerapan Jam: 267MHz,

Senarai harapan
STK17TA8-RF25

STK17TA8-RF25

bahagian bahagian: 6000

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
STK11C88-NF25

STK11C88-NF25

bahagian bahagian: 5820

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C131E-15NXI

CY7C131E-15NXI

bahagian bahagian: 3304

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 8Kb (1K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
CY7C1420UV18-300BZXC

CY7C1420UV18-300BZXC

bahagian bahagian: 7257

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (1M x 36), Kekerapan Jam: 300MHz,

Senarai harapan
CY7C1353S-100AXCT

CY7C1353S-100AXCT

bahagian bahagian: 8138

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 4.5Mb (256K x 18), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CY14B104N-BA25XCT

CY14B104N-BA25XCT

bahagian bahagian: 5601

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
S29WS512PABBFW000

S29WS512PABBFW000

bahagian bahagian: 4697

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY14B104N-ZS20XCT

CY14B104N-ZS20XCT

bahagian bahagian: 5555

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 20ns,

Senarai harapan
CY7C1041CV33-10BAXET

CY7C1041CV33-10BAXET

bahagian bahagian: 4416

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Asynchronous, Saiz Ingatan: 4Mb (256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 10ns,

Senarai harapan
S26KL512SDABHN030

S26KL512SDABHN030

bahagian bahagian: 4743

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
CYD02S36VA-167BBXC

CYD02S36VA-167BBXC

bahagian bahagian: 4133

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Synchronous, Saiz Ingatan: 2Mb (64K x 36), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
FM25H20-G

FM25H20-G

bahagian bahagian: 701

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FRAM, Teknologi: FRAM (Ferroelectric RAM), Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 40MHz,

Senarai harapan
S25FL129P0XMFV010

S25FL129P0XMFV010

bahagian bahagian: 9681

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 5µs, 3ms,

Senarai harapan
CY7C1518JV18-250BZC

CY7C1518JV18-250BZC

bahagian bahagian: 6226

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 72Mb (4M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
CY7C1612KV18-300BZC

CY7C1612KV18-300BZC

bahagian bahagian: 4071

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR II, Saiz Ingatan: 144Mb (8M x 18), Kekerapan Jam: 300MHz,

Senarai harapan
CY7C1471BV25-133BZXC

CY7C1471BV25-133BZXC

bahagian bahagian: 4125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 72Mb (2M x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CY7C136E-25NXC

CY7C136E-25NXC

bahagian bahagian: 3328

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 16Kb (2K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 25ns,

Senarai harapan
CY7C144E-55AXC

CY7C144E-55AXC

bahagian bahagian: 3227

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
CY7C1423SV18-250BZC

CY7C1423SV18-250BZC

bahagian bahagian: 7176

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, DDR II, Saiz Ingatan: 36Mb (2M x 18), Kekerapan Jam: 250MHz,

Senarai harapan
S25FL132K0XNFI011

S25FL132K0XNFI011

bahagian bahagian: 74741

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 3ms,

Senarai harapan
S29WS064RABBHW000

S29WS064RABBHW000

bahagian bahagian: 14866

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
CY7C1355S-133BGC

CY7C1355S-133BGC

bahagian bahagian: 7010

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
CY7C1354C-166AXI

CY7C1354C-166AXI

bahagian bahagian: 5545

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, Saiz Ingatan: 9Mb (256K x 36), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
CY14MB256J1-SXIT

CY14MB256J1-SXIT

bahagian bahagian: 3653

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 256Kb (32K x 8), Kekerapan Jam: 3.4MHz,

Senarai harapan
CY7C1305TV25-167BZXC

CY7C1305TV25-167BZXC

bahagian bahagian: 9149

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Synchronous, QDR, Saiz Ingatan: 18Mb (1M x 18), Kekerapan Jam: 167MHz,

Senarai harapan
CY7C144E-15AXCT

CY7C144E-15AXCT

bahagian bahagian: 3918

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: SRAM, Teknologi: SRAM - Dual Port, Asynchronous, Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
STK11C68-5K35M

STK11C68-5K35M

bahagian bahagian: 5731

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 64Kb (8K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan
S70FS01GSDSBHM213

S70FS01GSDSBHM213

bahagian bahagian: 4620

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 80MHz,

Senarai harapan
S34MS01G204BHI013

S34MS01G204BHI013

bahagian bahagian: 9552

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 45ns,

Senarai harapan
STK14CA8-RF35I

STK14CA8-RF35I

bahagian bahagian: 5871

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: NVSRAM, Teknologi: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 35ns,

Senarai harapan