Ingatan

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

MT53D1G64D8NZ-046 WT:E TR

bahagian bahagian: 134

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 2133MHz,

Senarai harapan
MT28F320J3RP-11 MET

MT28F320J3RP-11 MET

bahagian bahagian: 2655

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT48V8M16LFF4-8:G TR

MT48V8M16LFF4-8:G TR

bahagian bahagian: 3602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3FS-115 MET TR

MT28F640J3FS-115 MET TR

bahagian bahagian: 3729

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT46V32M8TG-75Z:G TR

MT46V32M8TG-75Z:G TR

bahagian bahagian: 7316

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC64M4A2P-75 L:D

MT48LC64M4A2P-75 L:D

bahagian bahagian: 1299

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

MT45W1MW16BAFB-856 WT TR

bahagian bahagian: 4566

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
MT28F320J3FS-11 MET

MT28F320J3FS-11 MET

bahagian bahagian: 2576

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT48LC32M8A2P-75 L:D

MT48LC32M8A2P-75 L:D

bahagian bahagian: 341

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFF4-10:G

MT48V8M16LFF4-10:G

bahagian bahagian: 3568

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B TR

bahagian bahagian: 277

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2B5-7:G

MT48LC4M32B2B5-7:G

bahagian bahagian: 917

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT28F400B5WP-8 TET

MT28F400B5WP-8 TET

bahagian bahagian: 3267

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F128J3BS-12 ET

MT28F128J3BS-12 ET

bahagian bahagian: 2273

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

MT29F256G08AUCABH3-10ITZ:A TR

bahagian bahagian: 406

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT48LC16M8A2P-75 IT:G

MT48LC16M8A2P-75 IT:G

bahagian bahagian: 9774

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B5WG-8 TET TR

MT28F400B5WG-8 TET TR

bahagian bahagian: 3212

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT45W2MW16BAFB-856 WT

MT45W2MW16BAFB-856 WT

bahagian bahagian: 4681

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
MT46V32M8FG-75E:G

MT46V32M8FG-75E:G

bahagian bahagian: 7259

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2B5-10 IT

MT48H16M32L2B5-10 IT

bahagian bahagian: 8819

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

MT29F2T08CUHBBM4-3R:B TR

bahagian bahagian: 306

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT28F320J3FS-11 GMET TR

MT28F320J3FS-11 GMET TR

bahagian bahagian: 2591

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT46V32M16TG-5B:C

MT46V32M16TG-5B:C

bahagian bahagian: 6752

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B3SG-8 T TR

MT28F400B3SG-8 T TR

bahagian bahagian: 2849

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F800B3SG-9 T TR

MT28F800B3SG-9 T TR

bahagian bahagian: 3880

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

MT29F512G08AUCBBH8-6IT:B

bahagian bahagian: 85

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan
MT28F128J3RG-12 MET TR

MT28F128J3RG-12 MET TR

bahagian bahagian: 3325

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT47H128M8BT-37E:A

MT47H128M8BT-37E:A

bahagian bahagian: 8287

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 267MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VG-8 T TR

MT28F004B5VG-8 T TR

bahagian bahagian: 1939

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V16M8P-75:D TR

MT46V16M8P-75:D TR

bahagian bahagian: 5934

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32B2TG-7 TR

MT48LC8M32B2TG-7 TR

bahagian bahagian: 2408

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VG-8 BET TR

MT28F004B5VG-8 BET TR

bahagian bahagian: 3238

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC64M8A2P-75 L:C

MT48LC64M8A2P-75 L:C

bahagian bahagian: 1524

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32LFB5-8 XT:G

MT48LC4M32LFB5-8 XT:G

bahagian bahagian: 1065

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8P-75 L:D

MT46V64M8P-75 L:D

bahagian bahagian: 8050

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-856 WT

MT45W4MW16BFB-856 WT

bahagian bahagian: 5000

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan