Ingatan

MT28F004B3VG-8 T TR

MT28F004B3VG-8 T TR

bahagian bahagian: 1678

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V128M4BN-75:D TR

MT46V128M4BN-75:D TR

bahagian bahagian: 5288

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16A2TG-6A:G

MT48LC8M16A2TG-6A:G

bahagian bahagian: 1659

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-75 IT:C TR

MT46V32M16P-75 IT:C TR

bahagian bahagian: 6641

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M8A2P-7E L:G

MT48LC8M8A2P-7E L:G

bahagian bahagian: 2799

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT47H32M16CC-3:B TR

MT47H32M16CC-3:B TR

bahagian bahagian: 4732

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2TG-75 L:D

MT48LC32M8A2TG-75 L:D

bahagian bahagian: 503

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32LFB5-8:G

MT48LC4M32LFB5-8:G

bahagian bahagian: 1097

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16A2TG-7E IT:G

MT48LC8M16A2TG-7E IT:G

bahagian bahagian: 1744

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT48H4M16LFB4-10

MT48H4M16LFB4-10

bahagian bahagian: 8964

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V8M16TG-75:D TR

MT46V8M16TG-75:D TR

bahagian bahagian: 8279

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M4FG-75E:G

MT46V64M4FG-75E:G

bahagian bahagian: 7530

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F128J3BS-12 MET

MT28F128J3BS-12 MET

bahagian bahagian: 2308

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT48LC64M8A2P-7E:C TR

MT48LC64M8A2P-7E:C TR

bahagian bahagian: 1537

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFF5-8 IT:G

MT48V4M32LFF5-8 IT:G

bahagian bahagian: 3152

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V16M16BG-6:F

MT46V16M16BG-6:F

bahagian bahagian: 5636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-75 L:C TR

MT46V32M16TG-75 L:C TR

bahagian bahagian: 6920

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F008B5VG-8 BET

MT28F008B5VG-8 BET

bahagian bahagian: 2052

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BBB-706 L WT

MT45W4MW16BBB-706 L WT

bahagian bahagian: 3493

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC32M4A2TG-75 L:G

MT48LC32M4A2TG-75 L:G

bahagian bahagian: 245

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M8BT-5E:A

MT47H128M8BT-5E:A

bahagian bahagian: 3848

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32LFF5-10

MT48LC8M32LFF5-10

bahagian bahagian: 2494

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3FS-115 XMET

MT28F640J3FS-115 XMET

bahagian bahagian: 3720

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT28F128J3FS-12 MET

MT28F128J3FS-12 MET

bahagian bahagian: 2333

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT28F400B5WG-8 B TR

MT28F400B5WG-8 B TR

bahagian bahagian: 3128

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFB4-8:G

MT48LC8M16LFB4-8:G

bahagian bahagian: 1919

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFF4-8 XT:G

MT48V8M16LFF4-8 XT:G

bahagian bahagian: 4389

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFF4-8:G

MT48V8M16LFF4-8:G

bahagian bahagian: 3548

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B3WG-8 B

MT28F400B3WG-8 B

bahagian bahagian: 2838

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F640J3RG-115 XMET TR

MT28F640J3RG-115 XMET TR

bahagian bahagian: 3786

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT46V128M4BN-75:D

MT46V128M4BN-75:D

bahagian bahagian: 5372

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFB5-8:G

MT48V4M32LFB5-8:G

bahagian bahagian: 3137

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR

MT48LC64M8A2TG-75 L:C TR

bahagian bahagian: 1593

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR

MT29F256G08AUCABH3-10Z:A TR

bahagian bahagian: 435

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT48V8M32LFB5-10 TR

MT48V8M32LFB5-10 TR

bahagian bahagian: 4420

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan