Ingatan

MT48LC16M16A2P-7E IT:D

MT48LC16M16A2P-7E IT:D

bahagian bahagian: 9520

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-6T:C TR

MT46V32M16TG-6T:C TR

bahagian bahagian: 6803

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F2G08AACWP:C TR

MT29F2G08AACWP:C TR

bahagian bahagian: 9043

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

Senarai harapan
MT47H16M16BG-3E:B

MT47H16M16BG-3E:B

bahagian bahagian: 8324

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V128M4BN-6:D TR

MT46V128M4BN-6:D TR

bahagian bahagian: 5370

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2P-75:D

MT48LC32M8A2P-75:D

bahagian bahagian: 469

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B3SG-9 B

MT28F800B3SG-9 B

bahagian bahagian: 3892

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
MT28F400B3WG-8 T TR

MT28F400B3WG-8 T TR

bahagian bahagian: 2935

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48V8M32LFF5-8 TR

MT48V8M32LFF5-8 TR

bahagian bahagian: 3806

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V32M8FG-75 L:G TR

MT46V32M8FG-75 L:G TR

bahagian bahagian: 7218

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2TG-7:G TR

MT48LC4M32B2TG-7:G TR

bahagian bahagian: 949

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 143MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR

MT48LC8M16LFB4-10 IT:G TR

bahagian bahagian: 1735

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

MT48V4M32LFB5-8 IT:G TR

bahagian bahagian: 3031

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B3WP-9 T TR

MT28F800B3WP-9 T TR

bahagian bahagian: 4027

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
MT29E2T08CUHBBM4-3:B

MT29E2T08CUHBBM4-3:B

bahagian bahagian: 112

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-856 WT F TR

MT45W4MW16BFB-856 WT F TR

bahagian bahagian: 5029

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 85ns,

Senarai harapan
MT46V32M16FN-6:C TR

MT46V32M16FN-6:C TR

bahagian bahagian: 6499

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29E3T08EUHBBM4-3:B

MT29E3T08EUHBBM4-3:B

bahagian bahagian: 127

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

Senarai harapan
MT48LC8M8A2P-7E:G

MT48LC8M8A2P-7E:G

bahagian bahagian: 2772

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-5B:C TR

MT46V32M16P-5B:C TR

bahagian bahagian: 6700

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT29F4G08AAAWP:A TR

MT29F4G08AAAWP:A TR

bahagian bahagian: 9005

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

Senarai harapan
MT28F400B5SG-8 TET TR

MT28F400B5SG-8 TET TR

bahagian bahagian: 3342

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT28F320J3FS-11 GMET

MT28F320J3FS-11 GMET

bahagian bahagian: 2488

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT48LC16M4A2TG-7E:G

MT48LC16M4A2TG-7E:G

bahagian bahagian: 9725

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT28F640J3FS-115 GMET

MT28F640J3FS-115 GMET

bahagian bahagian: 3515

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT40A4G8KVA-083H:G TR

MT40A4G8KVA-083H:G TR

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

Senarai harapan
MT46V64M8FN-75 IT:D

MT46V64M8FN-75 IT:D

bahagian bahagian: 7859

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F320J3RP-11 ET TR

MT28F320J3RP-11 ET TR

bahagian bahagian: 2638

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR

MT48LC8M16LFF4-8 IT:G TR

bahagian bahagian: 2095

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V64M8TG-75:D

MT46V64M8TG-75:D

bahagian bahagian: 8205

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V16M16TG-75 IT:F

MT46V16M16TG-75 IT:F

bahagian bahagian: 5871

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32LFB5-8:G TR

MT48LC4M32LFB5-8:G TR

bahagian bahagian: 1195

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VP-8 T

MT28F004B5VP-8 T

bahagian bahagian: 1958

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MTFC256GAOAMAM-WT TR

MTFC256GAOAMAM-WT TR

bahagian bahagian: 68

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8),

Senarai harapan
MT46V16M8P-75:D

MT46V16M8P-75:D

bahagian bahagian: 5895

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V128M8TG-75:A TR

MT46V128M8TG-75:A TR

bahagian bahagian: 5566

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan