Ingatan

MT48LC4M16A2TG-6 IT:G

MT48LC4M16A2TG-6 IT:G

bahagian bahagian: 735

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT45W1MW16BAFB-706 WT

MT45W1MW16BAFB-706 WT

bahagian bahagian: 4460

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT45W1MW16PABA-70 WT

MT45W1MW16PABA-70 WT

bahagian bahagian: 4567

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V32M16P-75:C TR

MT46V32M16P-75:C TR

bahagian bahagian: 6729

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT47H128M4CB-5E:B

MT47H128M4CB-5E:B

bahagian bahagian: 8297

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2TG-6A:D TR

MT48LC16M16A2TG-6A:D TR

bahagian bahagian: 9684

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT48H16M32L2B5-10

MT48H16M32L2B5-10

bahagian bahagian: 8805

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-75 IT:C TR

MT46V32M16TG-75 IT:C TR

bahagian bahagian: 6882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC8M8A2P-75 L:G

MT48LC8M8A2P-75 L:G

bahagian bahagian: 2670

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B3WP-9 B TR

MT28F800B3WP-9 B TR

bahagian bahagian: 4015

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

Senarai harapan
MT46V32M16TG-75:C TR

MT46V32M16TG-75:C TR

bahagian bahagian: 7072

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F400B3WG-8 BET

MT28F400B3WG-8 BET

bahagian bahagian: 2899

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

MT48LC8M32LFF5-10 IT TR

bahagian bahagian: 2529

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32LFF5-8:G

MT48LC4M32LFF5-8:G

bahagian bahagian: 1304

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC32M8A2BB-75 L:D

MT48LC32M8A2BB-75 L:D

bahagian bahagian: 4112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F320J3RG-11 MET

MT28F320J3RG-11 MET

bahagian bahagian: 2612

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

Senarai harapan
MT48LC4M16A2TG-6:G TR

MT48LC4M16A2TG-6:G TR

bahagian bahagian: 797

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT46V64M8BN-75 IT:D

MT46V64M8BN-75 IT:D

bahagian bahagian: 7636

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W1MW16BAFB-708 WT

MT45W1MW16BAFB-708 WT

bahagian bahagian: 4518

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC8M16LFF4-8 IT:G

MT48LC8M16LFF4-8 IT:G

bahagian bahagian: 4247

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F128J3RP-12 ET TR

MT28F128J3RP-12 ET TR

bahagian bahagian: 2367

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

Senarai harapan
MT47H128M4CB-3:B

MT47H128M4CB-3:B

bahagian bahagian: 8270

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 333MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT46V128M4TG-75E:D TR

MT46V128M4TG-75E:D TR

bahagian bahagian: 3572

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F800B5SG-8 T TR

MT28F800B5SG-8 T TR

bahagian bahagian: 4168

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT48LC16M8A2TG-75 L:G

MT48LC16M8A2TG-75 L:G

bahagian bahagian: 9928

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT45W4MW16BFB-708 WT TR

MT45W4MW16BFB-708 WT TR

bahagian bahagian: 4977

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT46V128M4FN-75Z:D TR

MT46V128M4FN-75Z:D TR

bahagian bahagian: 5404

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (128M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F004B5VG-8 TET TR

MT28F004B5VG-8 TET TR

bahagian bahagian: 1985

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

Senarai harapan
MT46V16M16TG-75:F TR

MT46V16M16TG-75:F TR

bahagian bahagian: 5946

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR

MT48V8M16LFB4-8 IT:G TR

bahagian bahagian: 4347

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT48LC4M32B2P-6:G

MT48LC4M32B2P-6:G

bahagian bahagian: 885

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

Senarai harapan
MT48V8M16LFB4-10 IT:G

MT48V8M16LFB4-10 IT:G

bahagian bahagian: 3272

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan
MT28F640J3RP-115 MET TR

MT28F640J3RP-115 MET TR

bahagian bahagian: 3816

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

Senarai harapan
MT45W2MW16BABB-706 L WT

MT45W2MW16BABB-706 L WT

bahagian bahagian: 4625

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

Senarai harapan
MT48LC16M16A2FG-7E:D

MT48LC16M16A2FG-7E:D

bahagian bahagian: 9490

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

Senarai harapan
MT46V64M8FN-75:D TR

MT46V64M8FN-75:D TR

bahagian bahagian: 8026

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

Senarai harapan