Ingatan

MT48LC8M8A2P-75 IT:G TR

bahagian bahagian: 2603

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F128J3RP-12 ET

bahagian bahagian: 2388

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16),

MT48LC16M16A2P-7E L:D TR

bahagian bahagian: 9557

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14ns,

MT48LC8M8A2P-75:G

bahagian bahagian: 2616

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT45W1MW16PAFA-70 WT

bahagian bahagian: 4549

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 16Mb (1M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT46V16M16TG-75:F

bahagian bahagian: 5872

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F800B3SG-9 TET

bahagian bahagian: 3927

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8, 512K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

MT48V8M16LFB4-10:G TR

bahagian bahagian: 3305

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F400B3WG-8 BET TR

bahagian bahagian: 2903

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8, 256K x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 80ns,

MT46V64M8BN-5B:D

bahagian bahagian: 3832

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V16M8TG-75:D

bahagian bahagian: 6002

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H16M32L2F5-10

bahagian bahagian: 8867

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT46V64M8P-75Z:D TR

bahagian bahagian: 8165

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT45W2MW16PABA-70 IT

bahagian bahagian: 4669

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT48LC16M16A2P-75 L:D

bahagian bahagian: 9491

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC8M16A2P-6A:G TR

bahagian bahagian: 1612

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 167MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 12ns,

MT46V64M8TG-75 IT:D TR

bahagian bahagian: 8212

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC4M32LFB5-10:G

bahagian bahagian: 1012

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (4M x 32), Kekerapan Jam: 100MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC4M16A2P-75 L:G

bahagian bahagian: 4100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8FN-75 IT:D TR

bahagian bahagian: 7938

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H4M16LFB4-10 IT

bahagian bahagian: 8969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F320J3RG-11 GMET

bahagian bahagian: 2539

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8, 2M x 16),

MT45W4MW16PFA-70 WT

bahagian bahagian: 5090

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: PSRAM, Teknologi: PSRAM (Pseudo SRAM), Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MT46V64M4TG-75:G

bahagian bahagian: 7577

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 256Mb (64M x 4), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8P-75:D

bahagian bahagian: 8175

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48V8M32LFF5-8 IT

bahagian bahagian: 3820

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 256Mb (8M x 32), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F008B3VG-9 TET

bahagian bahagian: 2040

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 90ns,

MT53E2G32D8QD-053 WT:E TR

bahagian bahagian: 131

MT47H256M4B7-5E:A TR

bahagian bahagian: 4969

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (256M x 4), Kekerapan Jam: 200MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC32M8A2TG-75 IT:D TR

bahagian bahagian: 579

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48LC8M16LFF4-8:G

bahagian bahagian: 2100

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 128Mb (8M x 16), Kekerapan Jam: 125MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT48H4M16LFF4-10 IT

bahagian bahagian: 9088

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPSDR, Saiz Ingatan: 64Mb (4M x 16), Kekerapan Jam: 104MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT46V64M8BN-75:D

bahagian bahagian: 7825

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT28F640J3FS-115 XMET TR

bahagian bahagian: 3702

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH, Saiz Ingatan: 64Mb (8M x 8, 4M x 16),

MTFC128GAJAECE-AAT TR

bahagian bahagian: 66

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8),

MT48LC32M16A2TG-75 L:C

bahagian bahagian: 132

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,