Ingatan

MT29F4G16ABBDAHC:D

MT29F4G16ABBDAHC:D

bahagian bahagian: 242

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16),

Senarai harapan
N25Q128A11EV740

N25Q128A11EV740

bahagian bahagian: 8402

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

MT29F128G08CBEBBL85C3WC1

bahagian bahagian: 3422

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT25QL128ABA1EW9-0SIT

MT25QL128ABA1EW9-0SIT

bahagian bahagian: 37092

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
N25Q128A13E1241F TR

N25Q128A13E1241F TR

bahagian bahagian: 32837

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT49H16M36SJ-18:B

MT49H16M36SJ-18:B

bahagian bahagian: 1405

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 533MHz,

Senarai harapan
MT53B256M32D1NP-053 WT:C

MT53B256M32D1NP-053 WT:C

bahagian bahagian: 125

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

Senarai harapan
MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

MT29F128G08AKEDBJ5-12:D

bahagian bahagian: 3349

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

Senarai harapan
MT25TL512BAA1ESF-0AAT

MT25TL512BAA1ESF-0AAT

bahagian bahagian: 7035

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
MT29F64G08CBABAWP:B TR

MT29F64G08CBABAWP:B TR

bahagian bahagian: 8853

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8),

Senarai harapan
MT28GU512AAA2EGC-0AAT

MT28GU512AAA2EGC-0AAT

bahagian bahagian: 5796

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
N25Q064A13ESFH0F TR

N25Q064A13ESFH0F TR

bahagian bahagian: 5984

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
M25PE10-VD11

M25PE10-VD11

bahagian bahagian: 8451

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Mb (128K x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
EDFP112A3PB-JD-F-R

EDFP112A3PB-JD-F-R

bahagian bahagian: 6374

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
EDFP112A3PB-JD-F-D TR

EDFP112A3PB-JD-F-D TR

bahagian bahagian: 6383

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

Senarai harapan
MT28EW128ABA1LPC-1SIT

MT28EW128ABA1LPC-1SIT

bahagian bahagian: 28269

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

Senarai harapan
M25PX80-VMP6TG0X TR

M25PX80-VMP6TG0X TR

bahagian bahagian: 5047

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
MT29F2G08ABAEAH4-E:E

MT29F2G08ABAEAH4-E:E

bahagian bahagian: 1393

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

Senarai harapan
M25PX80-VMN6TPZ1 TR

M25PX80-VMN6TPZ1 TR

bahagian bahagian: 8612

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
MT41K1G16DGA-125:A

MT41K1G16DGA-125:A

bahagian bahagian: 1808

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 16Gb (1G x 16), Kekerapan Jam: 800MHz,

Senarai harapan
MTFC4GACAAAM-1M WT

MTFC4GACAAAM-1M WT

bahagian bahagian: 8348

Senarai harapan
N25Q064A13ESED0F TR

N25Q064A13ESED0F TR

bahagian bahagian: 48115

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT25QU128ABA1ESE-0SIT

MT25QU128ABA1ESE-0SIT

bahagian bahagian: 39573

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

Senarai harapan
N25Q064A13E14D1E

N25Q064A13E14D1E

bahagian bahagian: 9032

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
M25PX80-VMP6TG0C TR

M25PX80-VMP6TG0C TR

bahagian bahagian: 5065

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
M25P40-VMP6TGB0A TR

M25P40-VMP6TGB0A TR

bahagian bahagian: 5090

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

Senarai harapan
N25Q016A11EF640F TR

N25Q016A11EF640F TR

bahagian bahagian: 8675

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (2M x 8), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 1ms,

Senarai harapan
M58BW16FB5ZA3F TR

M58BW16FB5ZA3F TR

bahagian bahagian: 9689

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 16Mb (512K x 32), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 55ns,

Senarai harapan
N25Q128A13EW7DFE

N25Q128A13EW7DFE

bahagian bahagian: 8434

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
N25Q032A13ESEC0E

N25Q032A13ESEC0E

bahagian bahagian: 9947

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT28GU512AAA1EGC-0SIT

MT28GU512AAA1EGC-0SIT

bahagian bahagian: 6564

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

Senarai harapan
MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

MT49H16M36SJ-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 1501

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

Senarai harapan
N25Q064A13EF8A0F TR

N25Q064A13EF8A0F TR

bahagian bahagian: 36748

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

Senarai harapan
MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

MT29F512G08CMCBBH7-6ITR:B

bahagian bahagian: 3211

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

Senarai harapan