Ingatan

MT41K512M8V00HWC1-N002

bahagian bahagian: 7972

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR

bahagian bahagian: 6316

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QL02GCBB8E12-0AAT

bahagian bahagian: 104

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F32G08ABEDBJ4-12:D

bahagian bahagian: 7481

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT47H32M16NF-25E AUT:H

bahagian bahagian: 9534

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

EDW4032BABG-50-F-D

bahagian bahagian: 7761

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.25GHz,

MT53D8DAHR-DC

bahagian bahagian: 4614

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT41K256M8DA-107 IT:K

bahagian bahagian: 3568

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT41K256M16LY-093:N

bahagian bahagian: 8056

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT29F256G08CECCBH6-6R:C

bahagian bahagian: 8963

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT53B1DBDS-DC TR

bahagian bahagian: 6274

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

MT53D384M32D2DS-046 AAT:C TR

bahagian bahagian: 6603

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT40A1G8SA-062E IT:E

bahagian bahagian: 112

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT53B256M64D2NK-053 WT:C

bahagian bahagian: 9687

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT46H1DAMA-DC

bahagian bahagian: 4250

MTA8ATF51264AZ-2G6B1

bahagian bahagian: 7842

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1333MHz,

MT51K128M32HF-60 N:B

bahagian bahagian: 96

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F8G01ADBFD12-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5818

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT29F1T08CUCBBH8-6R:B

bahagian bahagian: 8895

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT29F1G16ABBEAM68M3WC2

bahagian bahagian: 7263

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16),

MT29F1G08ABBDAM68A3WC1

bahagian bahagian: 7202

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8),

MT29TZZZ5D6DKFRL-107 W.9A6

bahagian bahagian: 4485

MT53B384M64D4NK-062 XT:B

bahagian bahagian: 4612

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QL128ABA8E14-0SIT

bahagian bahagian: 8554

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

N25Q064A13ESE40R01 TR

bahagian bahagian: 8564

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F128G08EBEBBB95A3WC1-M

bahagian bahagian: 6552

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

N25Q032A11ESE40F TR

bahagian bahagian: 54726

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT28EW01GABA1LPC-1SIT

bahagian bahagian: 13069

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (128M x 8, 64M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

N25QH32A13EV7A0

bahagian bahagian: 8092

MTFC8GACAAAM-4M IT

bahagian bahagian: 5344

M25P40-VMP6TGBX0 TR

bahagian bahagian: 5083

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 4Mb (512K x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

MT40A512M16JY-075E AIT:B TR

bahagian bahagian: 2887

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

PC28F256P33T2E

bahagian bahagian: 628

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz,

MT28EW256ABA1LPC-1SIT

bahagian bahagian: 19905

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT28GU512AAA1EGC-0SIT TR

bahagian bahagian: 6859

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F8G16ABBCAH4:C TR

bahagian bahagian: 9661

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16),