Ingatan

N25Q032A13ESCA0F TR

bahagian bahagian: 52039

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT49H8M36SJ-25:B

bahagian bahagian: 3240

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT25QU256ABA8ESF-0SIT

bahagian bahagian: 33430

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT41K2G4SN-125:A TR

bahagian bahagian: 4965

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F128G08CBCBBH6-6ITC:B

bahagian bahagian: 8972

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

JS28F256P30T2E

bahagian bahagian: 17181

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 40MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 110ns,

MT41K512M8DA-107 XIT:P

bahagian bahagian: 4972

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT47H32M16NF-187E:H TR

bahagian bahagian: 4992

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F1T08CUCBBH8-6ITR:B

bahagian bahagian: 3519

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

RC28F256P30TFF TR

bahagian bahagian: 12544

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (16M x 16), Kekerapan Jam: 52MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

MT42L128M32D1U80MWC1

bahagian bahagian: 3237

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32),

MT49H16M18SJ-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 2495

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC8GACAANA-4M IT

bahagian bahagian: 5132

MT28EW512ABA1HPC-1SIT

bahagian bahagian: 13511

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8, 32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

N25Q128A13BSFH0F

bahagian bahagian: 6958

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

N25Q032A13EV740

bahagian bahagian: 8409

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

N25Q032A13EV140

bahagian bahagian: 8462

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT42L128M64D2LN-18 WT:A

bahagian bahagian: 3272

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT28GU01GAAA1EGC-0SIT

bahagian bahagian: 5074

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT42L32M16D1U67MWC2

bahagian bahagian: 6464

MTFC4GMDEA-4M IT TR

bahagian bahagian: 6308

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

PN28F256M29EWHD

bahagian bahagian: 20056

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 100ns,

MT28GU256AAA2EGC-0SIT

bahagian bahagian: 10995

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29TZZZ8D5JKEZB-107 W.95Q TR

bahagian bahagian: 3990

MT40A512M16JY-083E AIT:B TR

bahagian bahagian: 3086

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53B256M32D1NP-062 WT:C

bahagian bahagian: 94

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

N25Q064A13EW9D0F TR

bahagian bahagian: 8662

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT25TL512HAA1ESF-0AAT

bahagian bahagian: 6948

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F1T08CQCCBG2-6C:C

bahagian bahagian: 3559

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q128A11EF840F TR

bahagian bahagian: 34560

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT25QL128ABA8ESF-0SIT

bahagian bahagian: 37045

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29TZZZ8D5JKERL-107 W.95E

bahagian bahagian: 109

MT29F256G08CECBBH6-6R:B

bahagian bahagian: 2660

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q128A13ESFA0F TR

bahagian bahagian: 23309

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT25TL512BAA1ESF-0AAT TR

bahagian bahagian: 6845

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT49H64M9SJ-25E:B

bahagian bahagian: 1665

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (64M x 9), Kekerapan Jam: 400MHz,