Ingatan

N25Q032A11EF440F TR

bahagian bahagian: 8599

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

M25PX80-VMP6TGY0 TR

bahagian bahagian: 5188

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

EDFP112A3PB-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 6340

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT28GU256AAA2EGC-0SIT TR

bahagian bahagian: 11340

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT41K2G8KJR-125:A TR

bahagian bahagian: 4883

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT42L384M32D3LP-25 WT:A

bahagian bahagian: 3274

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz,

M28W320HCB70D11

bahagian bahagian: 25125

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (2M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 70ns,

MTFC4GACAAAM-4M IT

bahagian bahagian: 7243

MT49H16M36SJ-25:B

bahagian bahagian: 1632

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

N25Q064A13EW7DFF

bahagian bahagian: 8425

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT41K2G8KJR-125:A

bahagian bahagian: 9549

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDFP112A3PB-JD-F-D

bahagian bahagian: 6367

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT40A1G4RH-075E:B TR

bahagian bahagian: 5196

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (1G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT28EW128ABA1LPN-0SIT

bahagian bahagian: 34897

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT42L64M32D1TK-18 IT:C

bahagian bahagian: 6678

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT49H16M36SJ-25 IT:B

bahagian bahagian: 1442

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (16M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC4GACAANA-4M IT

bahagian bahagian: 7119

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT29F8G08ADADAH4-E:D

bahagian bahagian: 1483

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (1G x 8),

MT40A512M16JY-062E IT:B TR

bahagian bahagian: 56

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (512M x 16), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

M25PX80-VMP6TG0M TR

bahagian bahagian: 5160

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 8Mb (1M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

MT42L64M64D2LL-18 IT:C

bahagian bahagian: 6779

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (64M x 64), Kekerapan Jam: 533MHz,

N25Q128A13ESF40F TR

bahagian bahagian: 32344

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (32M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT28GU256AAA1EGC-0SIT TR

bahagian bahagian: 11348

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F128G08CBECBL95B3WC1-R

bahagian bahagian: 3263

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT49H32M18SJ-18:B TR

bahagian bahagian: 1386

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F2G08ABAEAH4-E:E TR

bahagian bahagian: 913

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT29F512G08CKCBBH7-6ITC:B

bahagian bahagian: 9401

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT29F256G08CMCDBJ5-6ITR:D

bahagian bahagian: 3157

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT28EW128ABA1HPN-0SIT

bahagian bahagian: 34942

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT29C4G48MAAGBBAKS-48 WT TR

bahagian bahagian: 6277

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDRAM), Kekerapan Jam: 208MHz,

MT29F128G08CBCCBH6-6R:C

bahagian bahagian: 4135

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 166MHz,

MT47H128M16RT-25E:C

bahagian bahagian: 4170

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

M25P32-VMW3GB TR

bahagian bahagian: 6836

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (4M x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 5ms,

N25Q064A13EW7DFE

bahagian bahagian: 9015

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F256G08CECCBH6-6C:C

bahagian bahagian: 3107

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

N25Q064A11ESE40F TR

bahagian bahagian: 48129

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,