Ingatan

MTFC32GAMALAM-WT

bahagian bahagian: 9843

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT53D512M32D2NP-046 AUT:D

bahagian bahagian: 4819

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT29F3T08EUHBBM4-3R:B

bahagian bahagian: 1978

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT53B768M64D8WF-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 1729

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 48Gb (768M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT25QU02GCBB8E12-0AAT

bahagian bahagian: 82

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT29F256G08AUEDBJ6-12:D

bahagian bahagian: 7517

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MTA8ATF51264AZ-2G1B1

bahagian bahagian: 7869

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT25QL02GCBB8E12-0AAT TR

bahagian bahagian: 56

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT40A2G4WE-075E:B

bahagian bahagian: 2019

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 8Gb (2G x 4), Kekerapan Jam: 1.33GHz,

MT46H256M32L4LE-48 WT:C

bahagian bahagian: 8226

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 208MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14.4ns,

MT29F2G01AAAEDH4-IT:E TR

bahagian bahagian: 7378

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (2G x 1),

MT29F8G01ADAFD12-AATES:F

bahagian bahagian: 3863

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT44K64M18RB-107E IT:A TR

bahagian bahagian: 6236

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (64Mb x 18), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT47H64M8SH-25E AAT:H

bahagian bahagian: 9602

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (64M x 8), Kekerapan Jam: 400MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ns,

MT29F16G08ABCCBH1-10ITZ:C TR

bahagian bahagian: 3625

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 16Gb (2G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53D384M32D2DS-053 AIT:C TR

bahagian bahagian: 6764

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT29F512G08CKECBH7-12:C

bahagian bahagian: 9133

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B1024M64D8WF-062 WT:D

bahagian bahagian: 5141

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT29E1T208ECHBBJ4-3:B

bahagian bahagian: 8788

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1.125Tb (144G x 8),

MTFC16GAKAECN-2M WT

bahagian bahagian: 8642

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-083E:A TR

bahagian bahagian: 6214

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MTA8ATF1G64AZ-2G3A1

bahagian bahagian: 7844

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1200MHz,

MT53D512M32D2NP-046 WT:D

bahagian bahagian: 4894

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 2133MHz,

MT53B384M32D2DS-062 AUT:B

bahagian bahagian: 4321

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 12Gb (384M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT52L512M64D4GN-107 WT:B

bahagian bahagian: 9704

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR

bahagian bahagian: 6635

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 64Gb (1G x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MTFC16GAKAEDQ-AIT

bahagian bahagian: 993

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),

MT44K32M36RB-093F:A

bahagian bahagian: 8299

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 1.125Gb (32Mb x 36), Kekerapan Jam: 1067MHz,

MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR

bahagian bahagian: 6440

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EMBA232B2PB-DV-F-D

bahagian bahagian: 4201

MT40A4G4FSE-083E:A TR

bahagian bahagian: 5973

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (4G x 4), Kekerapan Jam: 1.2GHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B

bahagian bahagian: 9823

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT49H16M18CTR-25:B

bahagian bahagian: 7798

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MTFC32GAKAEEF-O1 AIT TR

bahagian bahagian: 7162

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8),

MT29F8G01ADAFD12-ITES:F TR

bahagian bahagian: 5842

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 8Gb (8G x 1),

MT41K512M8RG-093:N

bahagian bahagian: 9556

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR3L, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1067MHz,