Ingatan

MT29F1T08CQCCBG2-6R:C

bahagian bahagian: 3519

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Tb (128G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MTFC8GACAAAM-1M WT

bahagian bahagian: 5530

MT28EW256ABA1HPC-1SIT

bahagian bahagian: 19910

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8, 16M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

MT25TL256BAA1ESF-0AAT

bahagian bahagian: 6998

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 256Mb (32M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

MT49H16M18CSJ-25:B

bahagian bahagian: 2652

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (16M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F512G08EMCBBJ5-6:B

bahagian bahagian: 6546

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT25QL02GCBA8E12-0SIT

bahagian bahagian: 7014

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 2.8ms,

M25PE20-V6D11

bahagian bahagian: 8506

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Mb (256K x 8), Kekerapan Jam: 75MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 15ms, 3ms,

EDS6432AFTA-75TI-E-D

bahagian bahagian: 16846

MT29TZZZAD7EKKCY-107 W.97W TR

bahagian bahagian: 7101

MT29AZ5A3CHHWD-18AIT.84F

bahagian bahagian: 112

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, Mobile LPDRAM, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2Gb (128M x 16)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F64G08CBEDBJ4-12IT:D TR

bahagian bahagian: 6851

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT53B2DANP-DC

bahagian bahagian: 2108

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4,

EDF8164A3PF-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 6027

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT29F256G08CMCBBH2-10IT:B TR

bahagian bahagian: 5779

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT28FW512ABA1HJS-0AAT TR

bahagian bahagian: 10468

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 60ns,

EDF8164A3MA-GD-F-D

bahagian bahagian: 8366

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (128M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

EDB2432BCPE-8D-F-D

bahagian bahagian: 8590

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 2Gb (64M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz,

N28H00CB03JDK11E

bahagian bahagian: 2377

RC28F128J3F75B TR

bahagian bahagian: 11741

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8, 8M x 16), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 75ns,

MT29F4G08ABADAWP-AT:D TR

bahagian bahagian: 10967

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8),

MT49H32M18CBM-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 689

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT42L32M16D1FE-25 IT:A TR

bahagian bahagian: 7683

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (32M x 16), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29F128G08AKCDBJ5-6IT:D TR

bahagian bahagian: 847

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT49H8M36FM-25 IT:B TR

bahagian bahagian: 1057

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 288Mb (8M x 36), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR

bahagian bahagian: 7003

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, RAM, Teknologi: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F1G16ABBDAM68A3WC1

bahagian bahagian: 9632

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16),

MT29TZZZAD7EKKFB-107 W.97R TR

bahagian bahagian: 7212

EDFP112A3PB-JDTJ-F-D

bahagian bahagian: 2625

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFB232A1MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 665

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 32Gb (1G x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT46H256M32L4LE-48 WT:C TR

bahagian bahagian: 3248

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 208MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 14.4ns,

NAND128W3AABN6F TR

bahagian bahagian: 1297

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Mb (16M x 8), Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 50ns,

EDFP112A3PF-JD-F-D

bahagian bahagian: 2661

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (192M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDB5432BEPA-1DIT-F-R TR

bahagian bahagian: 16941

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 512Mb (16M x 32), Kekerapan Jam: 533MHz,

MTFC4GMDEA-1M WT

bahagian bahagian: 9995

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT29F2G16ABBFAH4:F TR

bahagian bahagian: 8936

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (128M x 16),