Ingatan

MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR

bahagian bahagian: 9118

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 32Gb (512M x 64), Kekerapan Jam: 1600MHz,

N25Q032A11EF440E

bahagian bahagian: 3857

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 32Mb (8M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F32G08AFACAWP-IT:C TR

bahagian bahagian: 8892

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

EDF8132A3PB-GD-F-D

bahagian bahagian: 3241

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT29F64G08CECDBJ4-10:D

bahagian bahagian: 8964

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR

bahagian bahagian: 9578

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

MT53B512M32D2GZ-062 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 2168

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 1600MHz,

EDF8132A3PD-GD-F-D

bahagian bahagian: 3189

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 8Gb (256M x 32), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT52L256M64D2GN-107 WT:B TR

bahagian bahagian: 2492

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFA112A2PD-JD-F-D

bahagian bahagian: 2549

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (128M x 128), Kekerapan Jam: 933MHz,

MT53D384M64D4TZ-053 WT:C TR

bahagian bahagian: 2261

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR4, Saiz Ingatan: 24Gb (384M x 64), Kekerapan Jam: 1866MHz,

MT42L128M32D1TK-25 IT:A TR

bahagian bahagian: 7576

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 400MHz,

MT29E384G08EBHBBJ4-3ES:B TR

bahagian bahagian: 3734

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 384Gb (48G x 8), Kekerapan Jam: 333MHz,

MT29F2T08CWCBBJ7-6R:B TR

bahagian bahagian: 6234

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Tb (256G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT49H32M18CSJ-25E:B

bahagian bahagian: 1569

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: DRAM, Saiz Ingatan: 576Mb (32M x 18), Kekerapan Jam: 400MHz,

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

bahagian bahagian: 8848

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR2, Saiz Ingatan: 1Gb (64M x 16), Kekerapan Jam: 533MHz,

MT29F3T08EQCBBG2-37:B TR

bahagian bahagian: 438

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 3Tb (384G x 8), Kekerapan Jam: 267MHz,

MT29F2G08ABBFAH4-IT:F TR

bahagian bahagian: 6103

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

EDFA164A2PF-JD-F-D

bahagian bahagian: 2789

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFA232A2PB-JD-F-R TR

bahagian bahagian: 9115

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (512M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFA164A2MA-GD-F-R TR

bahagian bahagian: 246

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 800MHz,

MT40A512M8RH-062E:B TR

bahagian bahagian: 3876

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - DDR4, Saiz Ingatan: 4Gb (512M x 8), Kekerapan Jam: 1.6GHz,

MT29F128G08CBECBH6-12:C

bahagian bahagian: 4356

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR

bahagian bahagian: 4397

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 512Gb (64G x 8), Kekerapan Jam: 167MHz,

MT28HL16GJBA3ERK-0SCT

bahagian bahagian: 4080

MT29F2G08ABAEAWP-ATX:E TR

bahagian bahagian: 13121

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8),

MT35XL02GCBA1G12-0SIT TR

bahagian bahagian: 499

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 2Gb (256M x 8), Kekerapan Jam: 133MHz,

MT29F32G08ABAAAWP:A TR

bahagian bahagian: 9395

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 32Gb (4G x 8),

MT29F64G08CBCGBWP-10ES:G TR

bahagian bahagian: 11430

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 64Gb (8G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

N25Q064A13EW7D0E

bahagian bahagian: 3899

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NOR, Saiz Ingatan: 64Mb (16M x 4), Kekerapan Jam: 108MHz, Tulis Masa Kitaran - Perkataan, Halaman: 8ms, 5ms,

MT29F256G08CJAABWP-12RZ:A TR

bahagian bahagian: 9405

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 83MHz,

MT52L768M32D3PU-107 WT ES:B TR

bahagian bahagian: 2570

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 24Gb (768M x 32), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDFA164A2MA-JD-F-D

bahagian bahagian: 3786

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: DRAM, Teknologi: SDRAM - Mobile LPDDR3, Saiz Ingatan: 16Gb (256M x 64), Kekerapan Jam: 933MHz,

EDW4032BABG-60-F-R TR

bahagian bahagian: 7882

Jenis Ingatan: Volatile, Format Memori: RAM, Teknologi: SGRAM - GDDR5, Saiz Ingatan: 4Gb (128M x 32), Kekerapan Jam: 1.5GHz,

MT29F256G08CKCABH2-10:A TR

bahagian bahagian: 8070

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 256Gb (32G x 8), Kekerapan Jam: 100MHz,

MT29F128G08CECGBJ4-5M:G

bahagian bahagian: 5290

Jenis Ingatan: Non-Volatile, Format Memori: FLASH, Teknologi: FLASH - NAND, Saiz Ingatan: 128Gb (16G x 8),