Menu
MelayuMelayu
Rfqs / order.
0Rfqs / order.

Transistor - Bipolar (BJT) - RF

  • Rumah
  •  
  • Transistor - Bipolar (BJT) - RF
2SC5087YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087YTE85LF

bahagian bahagian: 144

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 13dB, Kuasa - Maks: 150mW,

Senarai harapan
2SC5084-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 170

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 11dB, Kuasa - Maks: 150mW,

Senarai harapan
2SC4215-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-Y(TE85L,F)

bahagian bahagian: 171976

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2dB ~ 5dB @ 100MHz, Keuntungan: 17dB ~ 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5066-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-O,LF

bahagian bahagian: 111075

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5085-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-Y(TE85L,F)

bahagian bahagian: 128600

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 11dB ~ 16.5dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5086-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-O,LF

bahagian bahagian: 121034

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5065-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 190

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5085-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5085-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 170

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5095-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 187

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 10V, Kekerapan - Peralihan: 10GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.8dB @ 2GHz, Keuntungan: 13dB ~ 7dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5086-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5086-Y,LF

bahagian bahagian: 173074

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5095-R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5095-R(TE85L,F)

bahagian bahagian: 128

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 10V, Kekerapan - Peralihan: 10GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.8dB @ 2GHz, Keuntungan: 13dB ~ 7.5dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC4915-O,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-O,LF

bahagian bahagian: 124837

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Keuntungan: 17dB ~ 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5084YTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5084YTE85LF

bahagian bahagian: 152602

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 11dB, Kuasa - Maks: 150mW,

Senarai harapan
2SC5087-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 162523

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB ~ 1.1dB @ 500MHz ~ 1GHz, Kuasa - Maks: 150mW,

Senarai harapan
2SC5066-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5066-Y,LF

bahagian bahagian: 133840

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC2714-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-Y(TE85L,F)

bahagian bahagian: 132303

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2.5dB @ 100MHz, Keuntungan: 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5087R(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5087R(TE85L,F)

bahagian bahagian: 156257

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 8GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB ~ 2dB @ 1GHz, Kuasa - Maks: 150mW,

Senarai harapan
2SC5065-Y(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5065-Y(TE85L,F)

bahagian bahagian: 190913

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 12dB ~ 17dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC2714-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC2714-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 167393

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2.5dB @ 100MHz, Keuntungan: 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5088-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5088-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 7295

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1dB @ 500MHz, Keuntungan: 18dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5108-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5108-Y,LF

bahagian bahagian: 4783

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 10V, Kekerapan - Peralihan: 6GHz, Keuntungan: 11dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC4915-Y,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4915-Y,LF

bahagian bahagian: 7101

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2.3dB ~ 5dB @ 100MHz, Keuntungan: 17dB ~ 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC5096-R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC5096-R,LF

bahagian bahagian: 7064

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 10V, Kekerapan - Peralihan: 10GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.4dB @ 1GHz, Keuntungan: 1.4dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
2SC4215-O(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

2SC4215-O(TE85L,F)

bahagian bahagian: 160292

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 30V, Kekerapan - Peralihan: 550MHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 5dB @ 100MHz, Keuntungan: 23dB, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
MT3S111(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111(TE85L,F)

bahagian bahagian: 91

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 6V, Kekerapan - Peralihan: 11.5GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.2dB @ 1GHz, Keuntungan: 12dB, Kuasa - Maks: 700mW,

Senarai harapan
MT3S111P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

bahagian bahagian: 18982

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 6V, Kekerapan - Peralihan: 8GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.25dB @ 1GHz, Keuntungan: 10.5dB, Kuasa - Maks: 1W,

Senarai harapan
MT3S113P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113P(TE12L,F)

bahagian bahagian: 4314

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 5.3V, Kekerapan - Peralihan: 7.7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.45dB @ 1GHz, Keuntungan: 10.5dB, Kuasa - Maks: 1.6W,

Senarai harapan
MT3S113(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113(TE85L,F)

bahagian bahagian: 9921

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 5.3V, Kekerapan - Peralihan: 12.5GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.45dB @ 1GHz, Keuntungan: 11.8dB, Kuasa - Maks: 800mW,

Senarai harapan
MT3S20P(TE12L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20P(TE12L,F)

bahagian bahagian: 4313

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.45dB @ 1GHz, Keuntungan: 16.5dB, Kuasa - Maks: 1.8W,

Senarai harapan
MT3S20TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S20TU(TE85L)

bahagian bahagian: 135

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.45dB @ 20mA, 5V, Keuntungan: 12dB, Kuasa - Maks: 900mW,

Senarai harapan
MT3S113TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S113TU,LF

bahagian bahagian: 9992

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 5.3V, Kekerapan - Peralihan: 11.2GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.45dB @ 1GHz, Keuntungan: 12.5dB, Kuasa - Maks: 900mW,

Senarai harapan
MT3S16U(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S16U(TE85L,F)

bahagian bahagian: 176440

Jenis Transistor: NPN, Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 5V, Kekerapan - Peralihan: 4GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 2.4dB @ 1GHz, Keuntungan: 4.5dBi, Kuasa - Maks: 100mW,

Senarai harapan
HN3C10FUTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

bahagian bahagian: 7065

Jenis Transistor: 2 NPN (Dual), Voltan - Pemecahan Pemancar Pemungut (Maks): 12V, Kekerapan - Peralihan: 7GHz, Rajah Kebisingan (Jenis dB @ f): 1.1dB @ 1GHz, Keuntungan: 11.5dB, Kuasa - Maks: 200mW,

Senarai harapan